[发明专利]碳化硅化学气相沉积炉的进气装置有效
申请号: | 202010560400.3 | 申请日: | 2020-06-18 |
公开(公告)号: | CN111560597B | 公开(公告)日: | 2022-07-01 |
发明(设计)人: | 贺鹏博;周帆 | 申请(专利权)人: | 湖南铠欣新材料科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/32 | 分类号: | C23C16/32;C23C16/448;C23C16/455 |
代理公司: | 长沙轩荣专利代理有限公司 43235 | 代理人: | 张勇 |
地址: | 413000 湖南省益阳市高*** | 国省代码: | 湖南;43 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种碳化硅化学气相沉积炉的进气装置,包括:储液室、汽化室、混合室和稀释室,所述储液室设置有一注液口,所述混合室设置有一混合管道,所述稀释室设置有一稀释管道,所述混合管道用于通入氢气,所述稀释管道用于通入氩气,所述汽化室设置在所述储液室上方,所述汽化室通过一导液汽化装置与所述储液室连通,所述汽化室与混合室通过管道相互连通,所述混合室与稀释室通过管道连通,所述稀释室设置有一输出管道,所述输出管道用于连通沉积炉。本发明结构设计合理,操作便捷,进气过程气体不会液化堵塞管道,能够有效生成高纯度的MTS气体并且气体内各成分比例稳定。 | ||
搜索关键词: | 碳化硅 化学 沉积 装置 | ||
【主权项】:
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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