[发明专利]一种薄膜晶体管结构及显示器件在审
| 申请号： | 202010424443.9 | 申请日： | 2020-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN111584641A | 公开（公告）日： | 2020-08-25 |
| 发明（设计）人： | 胡迎宾;赵策;丁远奎;倪柳松;宋威;王庆贺;李伟;闫梁臣 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L27/12;H01L27/15;H01L27/32 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 许静;张博 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本公开实施例提供一种薄膜晶体管结构及显示器件，包括：衬底；及形成于衬底之上的第一栅极层、第一栅绝缘层、第一有源层、第一源漏金属图形；第一源漏金属图形包括第一源极和第一漏极，第一源极和第一漏极在衬底上的正投影分别位于第一有源层的沟道在衬底上的正投影的相对两端；第一有源层的沟道在衬底上的正投影呈曲线状，自第一源极所在一端至第一漏极所在一端，第一有源层的沟道的曲线长度大于第一源极至第一漏极之间在平行于衬底方向上的最短直线距离。本公开实施例的薄膜晶体管结构及显示器件，能够在不改变有源层薄膜厚度的情况下，沟道区宽度变大，有效提升TFT离子迁移率，有效改善对应的有源层不良，亮度不均，L0发亮等不良。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 结构 显示 器件 | ||
【主权项】：
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