[发明专利]一种聚酰亚胺结合铜柱元件的加工方法在审
| 申请号： | 202010300158.6 | 申请日： | 2020-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN111446178A | 公开（公告）日： | 2020-07-24 |
| 发明（设计）人： | 严立巍;李景贤;陈政勋 | 申请（专利权）人： | 绍兴同芯成集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L21/56;H01L23/29;H01L23/488;H01L23/495 |
| 代理公司： | 北京同辉知识产权代理事务所(普通合伙) 11357 | 代理人： | 王依 |
| 地址： | 312000 浙江省绍兴市越城区*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种聚酰亚胺结合铜柱元件的加工方法，属于晶片生产技术领域，包括以下步骤：S0在晶圆基板上沉积形成氮化硅层并完成刻蚀,完成钨塞通孔工艺及钨化学气相淀积形成钨柱；S1在氮化硅层和钨柱上沉积形成铜种子层；S2在铜种子层上生成掩膜图案，掩膜图案为光阻层；S3以单片式电镀工艺在钨柱上方生成铜柱；S4用有机溶剂去除铜种子层上的光阻层；S5以湿法蚀刻氮化硅层上的铜种子层蚀刻去除图案下的铜种子层；S6在氮化硅层上涂布聚酰亚胺；S7以干法蚀刻氮化硅层上聚酰亚胺层，使铜柱上部结构露出；S8以选择性化学镀方式形成铜柱的贵金属包覆层；解决了现有技术中导线焊接铜垫面的工艺散热性较差和在恶劣环境场合使用上接触点可靠性差的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 聚酰亚胺 结合 元件 加工 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
