[发明专利]晶片结合装置和包括晶片结合装置的晶片结合系统有效
| 申请号： | 201810521429.3 | 申请日： | 2018-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN109103124B | 公开（公告）日： | 2023-10-13 |
| 发明（设计）人： | 金兑泳;姜泌圭;金石镐;文光辰;李来寅;李镐珍 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种晶片结合装置，用于在晶片结合工艺和/或包括所述晶片结合装置的晶片结合系统中精确地检测晶片的结合状态。所述晶片结合装置包括：第一支撑板，包括第一表面和用于真空吸附在第一表面上设置的第一晶片的真空槽；第二支撑板，包括面对第一表面的第二表面。第二晶片在第二表面上。所述晶片结合装置和/或所述晶片结合系统包括位于第一支撑板的中心部分处的结合引发器和位于第一支撑板上的区域传感器，所述区域传感器被配置为检测第一晶片与第二晶片之间的结合的传播状态。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 结合 装置 包括 系统 | ||
【主权项】：
1.一种晶片结合装置，包括：第一支撑板，包括第一表面和用于真空吸附所述第一表面上的第一晶片的至少一个真空槽；第二支撑板，包括面对所述第一表面的第二表面，其中第二晶片位于所述第二表面上；所第一支撑板上的结合引发器，其中所述结合引发器配置为引发所述第一晶片与所述第二晶片之间的结合；以及所述第一支撑板上的区域传感器，其中所述区域传感器配置为检测所述第一晶片与所述第二晶片之间的结合的传播状态。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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