[发明专利]一种利用键合硅片制造低正向的肖特基管及其制备方法在审
| 申请号： | 202010219414.9 | 申请日： | 2020-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN111244191A | 公开（公告）日： | 2020-06-05 |
| 发明（设计）人： | 杨朔 | 申请（专利权）人： | 上海安微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L21/18;H01L21/329 |
| 代理公司： | 合肥律众知识产权代理有限公司 34147 | 代理人： | 黄珍玲 |
| 地址： | 200030 上海市徐汇*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明的主要目的为提供一种新型使用单晶键合方式的超低压降肖特基二极管及其制备方法，此二极管在低浓度的单晶片上背面扩散局部深高浓度层和浅高浓度层，然后同高浓度的衬底片键合，对低浓度层单晶进行减薄抛光，并光刻和硅槽腐蚀，形成与低浓度单晶片底部的深高浓度层相间的沟槽，在上表面和沟槽形成金属势垒和正面金属电极，在背面形成背电极。如图结构：10为背面电极；20为高浓度衬底；30为低浓度片背面扩散的浅高浓度层；40为深高浓度层；50为低浓度单晶层；60为势垒层及上电极金属层；70为边缘绝缘层。多槽结构增大了势垒区的表面积，极大地增加了单位芯片的电流，在同等芯片面积情况下，正向导通电流极大地增加，同等电流下，正向压降大幅降低，达到了超低正向的效果。单晶片直接键合的方式，避免了外延生长的高成本，并抗耐压和反向漏电性能都得到了改善。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用 硅片 制造 正向 肖特基管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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