[发明专利]具有电介质隔离部的堆叠式三栅极晶体管及其形成工艺在审
| 申请号： | 202010197374.2 | 申请日： | 2020-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN112151609A | 公开（公告）日： | 2020-12-29 |
| 发明（设计）人： | W·拉赫马迪;C-Y·黄;G·杜威;A·利拉克;P·莫罗;A·潘;E·曼内巴赫;J·T·卡瓦列罗斯 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 张伟 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了一种器件。该器件包括：第一半导体鳍状物；与第一半导体鳍状物的第一部分相邻的第一源极‑漏极外延区；与第一半导体鳍状物的第二部分相邻的第二源极‑漏极外延区；在第一半导体鳍状物上方的第一栅极导体；覆盖栅极导体的侧面的栅极间隔体；在第一半导体鳍状物下方的第二半导体鳍状物；在第二半导体鳍状物的第一侧面上的第二栅极导体和在第二半导体鳍状物的第二侧面上的第三栅极导体；与第二半导体鳍状物的第一部分相邻的第三源极‑漏极外延区；以及与第二半导体鳍状物的第二部分相邻的第四源极‑漏极外延区。该器件还包括在第一半导体鳍状物下方和第二半导体鳍状物上方并且将第一半导体鳍状物和第二半导体鳍状物分开的电介质隔离结构。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 电介质 隔离 堆叠 栅极 晶体管 及其 形成 工艺 | ||
【主权项】：
暂无信息
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