[发明专利]类第三代半导体性能的N型硅基新型场效应管及加工方法在审
| 申请号： | 202010192706.8 | 申请日： | 2020-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN111370490A | 公开（公告）日： | 2020-07-03 |
| 发明（设计）人： | 夏乾华 | 申请（专利权）人： | 鑫金微半导体（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L25/18;H01L21/50;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京酷爱智慧知识产权代理有限公司 11514 | 代理人： | 占丽君 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市宝安*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供的类第三代半导体性能的N型硅基新型场效应管，包括至少一个硅基场效应管晶圆，所述每个硅基场效应管晶圆的源极和漏极之间并联一肖特基二极管晶圆，其中肖特基二极管晶圆的正极接硅基场效应管晶圆的源极，肖特基二极管晶圆的负极接硅基场效应管晶圆的漏极。该N型硅基新型场效应管，效率更高，损耗更小，反向恢复时间更短。 | ||
| 搜索关键词： | 第三代 半导体 性能 型硅基 新型 场效应 加工 方法 | ||
【主权项】：
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