[发明专利]一种半导体结构的形成方法在审
| 申请号： | 202010191214.7 | 申请日： | 2020-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN113496941A | 公开（公告）日： | 2021-10-12 |
| 发明（设计）人： | 朱占魁;张力;钱亚峰 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/8234;H01L21/8244 |
| 代理公司： | 上海德禾翰通律师事务所 31319 | 代理人： | 侯莉 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体结构的形成方法，包括：向第二初始顶层掩模层中注入掺杂离子,在第二初始顶层掩模层中形成掺杂区；刻蚀去除掺杂区以外的第二初始顶层掩模层，且使掺杂区形成第二顶层掩模层；以第二顶层掩模层为掩模刻蚀第二初始底层掩模层，使第二初始底层掩模层形成第二底层掩模层；减小第二底层掩模层和第二顶层掩模层的宽度之后，以第二底层掩模层和第二顶层掩模层为掩模刻蚀第一初始掩模结构，使第一初始掩模结构形成第一掩模结构。采用上述方案，第一掩模结构的图形线宽尺寸减小。而第一掩模结构用于作为刻蚀基底的掩模，使得在基底中形成的图形尺寸减小，满足工艺的需求。由此，半导体器件的性能得到了提升。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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