[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202010165784.9 | 申请日： | 2020-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN113394191A | 公开（公告）日： | 2021-09-14 |
| 发明（设计）人： | 金吉松 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L23/528;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，包括：提供衬底，所述衬底内具有第一导电结构；在所述衬底上形成第一介质层；在所述第一介质层内并延伸入所述第一导电结构内形成第一开口，所述第一开口底部表面低于所述第一导电结构顶部表面；在所述第一开口内形成插塞结构。在本发明技术方案的半导体结构中，通过位于所述第一介质层内并延伸入第一导电结构内的第一开口，所述第一开口底部表面低于所述第一导电结构顶部表面；位于所述第一开口内的插塞结构。利用延伸入所述第一导电结构内的第一开口，使得所述第一导电结构与所述插塞结构之间的接触面积增大，以此实现减小所述第一导电结构与所述插塞结构之间的接触电阻，进而提升最终形成的半导体结构的电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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