[发明专利]超级结的制造方法及其超级结肖特基二极管在审
| 申请号： | 202010150476.9 | 申请日： | 2020-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN111326567A | 公开（公告）日： | 2020-06-23 |
| 发明（设计）人： | 陈伟;仲雪倩;黄海涛;张永熙 | 申请（专利权）人： | 上海瞻芯电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/872;H01L29/16 |
| 代理公司： | 上海华诚知识产权代理有限公司 31300 | 代理人： | 肖华 |
| 地址： | 201306 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请涉及半导体领域，公开了一种超级结的制造方法及其超级结肖特基二极管。本申请中超级结的制造方法包括：通过外延生长工艺在宽禁带半导体衬底表面上形成外延层；将第一掺杂离子沿宽禁带半导体的预设晶向注入外延层的至少一部分区域，形成第一导电类型区；将第二掺杂离子沿宽禁带半导体的预设晶向注入第一导电类型区的至少一部分区域，形成第二导电类型区，其中，第二掺杂离子与第一掺杂离子的导电类型不同；预设晶向为使得掺杂离子沿预设晶向注入会发生沟道效应的晶向。 | ||
| 搜索关键词： | 超级 制造 方法 及其 结肖特基 二极管 | ||
【主权项】：
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