[发明专利]单栅场效应晶体管器件及调控其驱动电流的方法有效
| 申请号： | 202010149102.5 | 申请日： | 2020-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN113363323B | 公开（公告）日： | 2023-08-18 |
| 发明（设计）人： | 王明湘;赵金凤;张冬利;王槐生 | 申请（专利权）人： | 苏州大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10 |
| 代理公司： | 苏州三英知识产权代理有限公司 32412 | 代理人： | 潘时伟 |
| 地址： | 215001*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种单栅场效应晶体管器件及其电流调控方法，以解决现有技术中单栅场效应晶体管器件的驱动电流不能有效提升，无法满足应用需求的问题。该场效应晶体管包括有源层、形成于有源层两侧的源极区域和漏极区域、以及位于源极区域和漏极区域之间沟道区域；其中，场效应晶体管器件被设置成：在器件关闭时，于沟道区域中自发形成耗尽型的第二沟道，且第二沟道不连通所述源极区域和漏极区域；在器件开启时，于沟道区域中形成第二沟道以及与第二沟道同极性的第一沟道；且第一沟道和第二沟道的至少其中之一对其中另一注入载流子，以使源漏连通并且第二沟道的载流子贡献器件的开启电流。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 器件 调控 驱动 电流 方法 | ||
【主权项】：
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