[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 202010147590.6 | 申请日： | 2020-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN111668296B | 公开（公告）日： | 2023-06-27 |
| 发明（设计）人： | 西井润弥;木村友 | 申请（专利权）人： | 丰田合成株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/78;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 高岩;杨林森 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了半导体装置及其制造方法。本发明提供了一种抑制了沟槽的角处的电流集中的III族氮化物半导体装置。半导体装置具有其中正六边形元胞以蜂窝状图案布置的图案。半导体层被沟槽划分为正六边形图案。凹部具有包含在被沟槽划分的半导体层的正六边形图案中的小的正六边形图案，其中该小的正六边形图案是通过以相同中心缩小半导体层的正六边形而获得的。此外，凹部的正六边形图案相对于半导体层的正六边形旋转30°。p型层的在沟槽的角附近的Mg活化率低于p型层的在沟槽的侧壁附近的其他区域中的Mg活化率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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