[发明专利]半导体元件的制造方法以及等离子体处理装置在审
| 申请号： | 202010115040.6 | 申请日： | 2020-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN111799173A | 公开（公告）日： | 2020-10-20 |
| 发明（设计）人： | 三浦真;石井洋平;酒井哲;前田贤治 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立高新技术 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L21/67;H01J37/32 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 齐秀凤 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体元件的制造方法以及等离子体处理装置。在具有SiGe沟道的半导体元件的制造工序中，能够不对SiGe沟道造成损伤地形成保护SiGe沟道的Si偏析层。半导体元件的制造方法包括：第1工序，对至少具有硅层和在硅层上形成的硅锗层的半导体基板实施基于第1条件的等离子体处理而使硅锗层露出；以及第2工序，对半导体基板实施基于第2条件的等离子体处理而使硅偏析至露出的硅锗层的表面，第1条件是能够对硅锗层或与硅锗层相邻的层进行蚀刻的条件，第2条件是实施氢等离子体处理的条件，第1工序以及第2工序在同一等离子体处理装置的处理室内连续进行。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 制造 方法 以及 等离子体 处理 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
