[发明专利]一种叉指电极的制备方法在审
| 申请号： | 202010100551.0 | 申请日： | 2020-02-18 |
| 公开（公告）号： | CN111327284A | 公开（公告）日： | 2020-06-23 |
| 发明（设计）人： | 朱庆芳;蔡文必;林彩文;王信棋;高俊华 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H03H3/08 | 分类号： | H03H3/08;H03H9/02;H03H9/145 |
| 代理公司： | 北京超成律师事务所 11646 | 代理人： | 郭俊霞 |
| 地址： | 361100 福建省厦门*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种叉指电极的制备方法，涉及表面声波滤波器的技术领域。叉指电极的制备方法包括：在衬底上方依次形成碳层和光阻层；对光阻层和碳层进行图案化，形成图案层；若图案层的图案与所需的金属线的图案互补，则在含有图案层的衬底上方形成金属层，再去除图案层上的金属层的部分以及图案层；若图案层的图案与所需的金属线的图案相同，则在衬底上方形成碳层之前，在衬底上形成金属层，再去除金属层上与图案层互补区域的部分。该方法能够有效提升光阻层的附着性，并提升黄光的工艺窗口，而且剩余的金属层的部分形成金属线，形成的金属线的线宽较小。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电极 制备 方法 | ||
【主权项】：
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- 杨思川 - 北京中科飞鸿科技股份有限公司
- 2023-03-10 - 2023-06-02 - H03H3/08
- 本发明涉及半导体微电子生产领域，具体而言，涉及一种声表面波滤波器及其制备方法和应用。所述的声表面波滤波器的制备方法，包括以下步骤：(a)将图形转移至压电材料上；在所述图形上沉积形成金属膜；(b)将石墨烯水分散液涂覆在所述金属膜上后进行干燥，所述金属膜上形成石墨烯电极层；(c)去除光刻胶。所述的声表面波滤波器的制备方法，方法简单，容易操作，适用于大规模生产，制备得到的声表面波滤波器具有较高的功率耐受性和工作频率。
- 一种用于Band2接收频段的SAW滤波器-202223571117.4
- 柳世民 - 阿尔伯达（苏州）科技有限公司
- 2022-12-30 - 2023-05-30 - H03H3/08
- 本实用新型涉及声表面波滤波器技术领域，具体涉及一种用于Band2接收频段的SAW滤波器，制作在42°YX或46°YX切型钽酸锂衬底上，包括一对信号端口，多个接地端口，多个串联的第一阻抗元谐振器，若干所述第一阻抗元谐振器配置于串联路径上；多个对地连接的第二阻抗元谐振器，若干所述第二阻抗元谐振器分别配置于并联路径上，所述并联路径一端与所述串联路径连接，另一端与所述接地端口连接。本实用新型采用阻抗元谐振器构成，共分成两组，其中一组用于串联，另一组用于对地连接，制备形成的滤波器矩形系数高、性能好，同时插损以及带外抑制均可以达到要求；并基于全部采用阻抗元谐振器，功率承受可达到30dB，适应性强。
- 用于制作声表面波滤波器的方法、声表面波滤波器-202310101494.1
- 请求不公布姓名 - 深圳新声半导体有限公司
- 2023-02-13 - 2023-05-26 - H03H3/08
- 本申请涉及谐振器技术领域，公开一种用于制作声表面波滤波器的方法，包括：在预设的衬底上淀积第一光刻胶层；刻蚀第一光刻胶层形成通孔；在暴露出的衬底和刻蚀后的第一光刻胶层上依次淀积第一金属层和第一温度补偿层；在第一温度补偿层上设置第二光刻胶层和第二金属层；去掉第一光刻胶层和第二光刻胶层，获得被第一温度补偿层覆盖的叉指电极结构，且第一温度补偿层的待设置区域形成金属凸起。这样，通过设置第一光刻胶层、第二光刻胶层和第二金属层，并去掉第一光刻胶层和第二光刻胶层的方式形成金属凸起。金属凸起与叉指电极结构的电极指的末端边缘垂直对齐，从而提高声表面波滤波器对杂波的抑制效果。本申请还公开一种声表面波滤波器。
- 声波滤波器制备方法-202310179574.9
- 李成果 - 湖北九峰山实验室
- 2023-02-23 - 2023-05-16 - H03H3/08
- 本发明实施例提供了一种声波滤波器制备方法，该方法包括：在外延结构的第一指定位置，去除三族氮化物半导体多层膜结构，暴露出上述单晶压电薄膜成核层的上表面，形成凹槽结构；在上述凹槽结构的侧壁和上述外延结构的表面沉积第一薄膜层，在上述凹槽结构的底面沉积第二薄膜层；将上述外延结构与外设的载片晶圆进行键合，上述凹槽结构与载片晶圆形成密封的空腔结构；在上述空腔结构对应的上述单晶压电薄膜成核层的第一指定位置沉积第一金属电极，得到体声波滤波器结构。该方法可以提高多晶压电薄膜滤波器的工作频率、带宽、机电耦合系数等性能参数，并进一步提升导热性。
- 声表面波器件的制造方法、声表面波器件及射频模组-202310118910.9
- 李朋;吴洋洋;曹庭松;杨扬;冯东东 - 北京超材信息科技有限公司
- 2023-02-03 - 2023-05-12 - H03H3/08
- 本申请提供一种声表面波器件及制造方法和射频模组，制造方法包括芯片植球，将芯片切割成晶粒，晶粒倒装在基板上，形成第一封装结构，之后将第一封装结构减薄，使得第一封装结构和晶粒的厚度小于200um，并露出晶粒部分，形成第二封装结构，切割。通过上述的制造方法，能够使得芯片厚度减薄到小于200um时，也能够避免芯片边缘产生碎渣，造成芯片表面被划伤导致的废片、碎片的问题。
- 专利分类
