[发明专利]具有沟槽型栅极的器件的制作方法在审
| 申请号： | 202010098122.4 | 申请日： | 2020-02-18 |
| 公开（公告）号： | CN111276535A | 公开（公告）日： | 2020-06-12 |
| 发明（设计）人： | 杨继业;潘嘉;赵龙杰;黄璇 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 罗雅文 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种具有沟槽型栅极的器件的制作方法，涉及半导体制造领域。该方法包括提供一衬底，在衬底内制作沟槽型栅极，在衬底表面沉积TEOS作为层间介质层，通过光刻工艺形成接触孔图形，根据接触孔图形刻蚀层间介质层，得到接触孔；解决了现有技术制作带有沟槽型栅的器件时，单纯增加栅氧厚度无法提高栅端的负向击穿电压的问题；达到了在无需改变器件设计的情况下，缩短工艺时间，提高器件栅端的负向击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 沟槽 栅极 器件 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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