[发明专利]半导体器件及其制造方法有效

专利信息
申请号: 202010096797.5 申请日: 2016-03-15
公开(公告)号: CN111276489B 公开(公告)日: 2023-10-24
发明(设计)人: 绪方完 申请(专利权)人: 瑞萨电子株式会社
主分类号: H10B43/35 分类号: H10B43/35;H10B43/40
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 李辉
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种半导体器件。在该半导体器件中,形成于存储器单元中的偏移间隔件由硅氧化物膜和硅氮化物膜的层压膜形成,并且硅氧化物膜特别地形成为与存储器栅极电极的侧壁以及电荷储存膜的侧端部分直接接触;另一方面,形成于MISFET中的偏移间隔件由硅氮化物膜形成。特别地在MISFET中,硅氮化物膜与栅极电极的侧壁以及高介电常数膜的侧端部分直接接触。
搜索关键词: 半导体器件 及其 制造 方法
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于瑞萨电子株式会社,未经瑞萨电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202010096797.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。

同类专利
专利分类
×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top