[发明专利]超级结器件及其制造方法有效
| 申请号： | 202010069025.2 | 申请日： | 2020-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN111244158B | 公开（公告）日： | 2023-10-20 |
| 发明（设计）人： | 李昊;赵龙杰 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种超级结器件，器件单元区中包括由交替排列的P型柱和N型柱组成的超级结，P型柱沟槽填充形成；P型体区由第一P型掺杂区和第二P型掺杂区叠加形成；第一P型掺杂区在P型柱形成之前通过离子注入和退火推进形成，使第一P型掺杂区的深度能不受超级结的工艺限制而加深并从而使所述P型体区的结深加深；第二P型掺杂区通过全面离子注入自对准形成于栅极结构两侧，第二P型掺杂区用于调节形成沟道的阈值电压。本发明还公开了一种超级结器件的制造方法。本发明能加深体区的深度并屏蔽超级结的表面缺陷的不利影响并从而提高良率，同时能避免对超级结的性能和阈值电压产生影响。 | ||
| 搜索关键词： | 超级 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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