[发明专利]显示装置、阵列基板、薄膜晶体管及其制造方法在审
| 申请号： | 202010066864.9 | 申请日： | 2020-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN113140637A | 公开（公告）日： | 2021-07-20 |
| 发明（设计）人： | 贵炳强;刘珂;黄鹏;高涛 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/06;H01L29/423;H01L21/34;H01L27/12;H01L27/32;G02F1/1362;G02F1/1368 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 王辉;阚梓瑄 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本公开是关于一种显示装置、阵列基板、薄膜晶体管及其制造方法，涉及显示技术领域。该薄膜晶体管包括有源层、栅绝缘层、栅极、介电层、源极和漏极。有源层具有沟道区、位于沟道区两侧的掺杂区以及分隔于掺杂区和沟道区之间的缓冲区，且缓冲区的掺杂浓度小于掺杂区。栅绝缘层设于有源层一侧，且覆盖沟道区和缓冲区，并露出掺杂区。栅极设于栅绝缘层背离有源层的表面，且栅极在有源层上的投影与沟道区重合。介电层覆盖栅极、栅绝缘层和有源层；源极和漏极设于介电层背离有源层的表面，且位于沟道区两侧，并连接于不同的掺杂区。 | ||
| 搜索关键词： | 显示装置 阵列 薄膜晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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