[发明专利]一种二极管、探测器及探测器的制作方法有效
| 申请号： | 202010059368.0 | 申请日： | 2020-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN111244193B | 公开（公告）日： | 2021-12-07 |
| 发明（设计）人： | 李俊杰;刘耀东;罗军;周娜;王桂磊;高建峰;杨涛;殷华湘;赵超;朱慧珑;王文武 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L31/02 | 分类号： | H01L31/02;H01L31/0224;H01L31/0352;H01L31/105;H01L27/15 |
| 代理公司： | 北京知迪知识产权代理有限公司 11628 | 代理人： | 王胜利 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开一种二极管、探测器及探测器的制作方法，涉及红外探测技术领域，以优化工艺、提高探测性能。二极管包括第一电极层、第二电极层以及位于第一电极层和第二电极层之间的量子点叠层；第二电极层在第一电极层所在层面的正投影覆盖量子点叠层在第一电极层所在层面的正投影。探测器应用了上述二极管，探测器由本发明提供的探测器的制作方法制成。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 二极管 探测器 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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