[发明专利]一种二极管、探测器及探测器的制作方法

说明书

本发明公开一种二极管、探测器及探测器的制作方法，涉及红外探测技术领域，以优化工艺、提高探测性能。二极管包括第一电极层、第二电极层以及位于第一电极层和第二电极层之间的量子点叠层；第二电极层在第一电极层所在层面的正投影覆盖量子点叠层在第一电极层所在层面的正投影。探测器应用了上述二极管，探测器由本发明提供的探测器的制作方法制成。

技术领域

本发明涉及探测技术领域，特别是涉及一种二极管、探测器及探测器的制作方法。

背景技术

探测器是一种将被测量信息转换为电信号的仪器设备，其能将被测量信息，按一定规律变换成为电信号输出，以满足信息的传输、处理、存储、显示、记录和控制等要求。

探测器包括用于感应被测量信息并将被测量信息转换为电信号的二极管。二极管具有两个相对分布的电极层和位于电极层之间的功能膜层。其中，功能膜层用于感应被测量信息并将被测量信息转换为电信号。相对分布的电极层则用于引出电信号。

为了便于电信号的引出，需要在二极管的第一电极层形成与第一电极层欧姆接触的第一电极引线层，在二极管的第二电极层形成与第二电极层欧姆接触的第二电极引线层。但是，现有技术常采用刻蚀和图形化工艺形成第一电极引线层和第二电极引线层，存在工艺复杂的问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种二极管、探测器及探测器的制作方法，以自对准的形成第一电极引线层和第二电极引线层，且能够使形成的第一电极引线层和第二电极引线层实现自然隔离，最终有效简化第一电极引线层和第二电极引线层的形成工艺。

为了实现上述目的，本发明提供一种二极管，包括第一电极层、第二电极层以及位于第一电极层和第二电极层之间的量子点叠层；第二电极层在第一电极层所在层面的正投影覆盖量子点叠层在第一电极层所在层面的正投影。

优选地，第二电极层在第一电极层所在层面的正投影覆盖第一电极层。

优选地，第一电极层和/或第二电极层均为半导体电极层或量子点电极层。

优选地，量子点叠层为PIN型量子点叠层；

量子点叠层为硅量子点、锗量子点、硫化镉量子点、硒化镉量子点、碲化镉量子点、硒化锌量子点、硫化铅量子点、硒化铅量子点、磷化铟量子点和砷化铟量子点中任意一种材料的叠层或至少两种材料的叠层。

与现有技术相比，本发明提供的二极管中，第二电极层在第一电极层所在层面的正投影覆盖量子点叠层在第一电极层所在层面的正投影，使得由第二电极层、量子点叠层和第一电极层可构成T形或工字形结构的二极管。在此基础上，在形成与第一电极层欧姆接触的第一电极引线层和与第二电极层欧姆接触的第二电极引线层时，第二电极层不仅可以作为阻挡层防止第一电极引线层沉积在量子点叠层，以隔离形成的第一电极引线层和第二电极引线层，而且第二电极层还能够作为图案化掩膜，使得形成第一电极引线层和第二电极引线层自对准的沉积在相应的位置，从而简化第一电极引线层和第二电极引线层的形成过程。由此可见，本发明提供的二极管应用于探测器的制作时，由于能够自对准地形成第一电极引线层和第二电极引线层，且还能够使第一电极引线层和第二电极引线层无需其他工艺即能够实现自然隔离，因此有效地简化了第一电极引线层和第二电极引线层的形成工艺。

本发明还提供一种探测器，包括衬底以及间隔形成在衬底的表面的M个二极管，M个传感器所包括的第一电极层电连接在一起，M个传感器所包括的第二电极层电连接在一起，M为大于或等于2的整数。

优选地，M个二极管所包括的第二电极层串接在一起；或，

M个二极管包括k组二极管，各组二极管所包括的第二电极层并接在一起，每组二极管所包括的第二电极层串接在一起；k为小于或等于M的整数。