[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法在审
申请号: | 201980101294.8 | 申请日: | 2019-10-17 |
公开(公告)号: | CN114556534A | 公开(公告)日: | 2022-05-27 |
发明(设计)人: | 前田笃志;川濑达也;井本裕儿 | 申请(专利权)人: | 三菱电机株式会社 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L23/48;H01L25/07;H01L25/18 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 何立波;张天舒 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 目的在于提供提高了引线部与半导体元件之间的接合可靠性的半导体装置。半导体装置包含半导体元件及引线部。半导体元件搭载于在绝缘基板设置的电路图案。引线部具有板状的形状,经由第1接合材料而与半导体元件接合。引线部包含引线主体及接合部件。引线主体包含与半导体元件的搭载位置对应地设置的开口部。接合部件在开口部内设置于半导体元件之上。接合部件的下表面通过第1接合材料而与半导体元件接合,并且,接合部件的外周部通过第2接合材料而与开口部的内周接合。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造