[发明专利]粒子束装置、缺陷修复方法、光刻曝光工艺和光刻系统在审
| 申请号： | 201980061382.X | 申请日： | 2019-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN112771448A | 公开（公告）日： | 2021-05-07 |
| 发明（设计）人： | R·C·玛斯;A·O·波利雅科夫;T·J·科南 | 申请（专利权）人： | ASML荷兰有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 董莘 |
| 地址： | 荷兰维*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 描述了一种粒子束装置，该装置包括：‑载物台，被配置为保持半导体衬底；‑粒子束源，被配置为生成粒子束；‑检测器，被配置为检测由粒子束与衬底的相互作用引起的衬底的响应并且输出表示该响应的检测器信号；‑处理单元，被配置为：接收或确定衬底上的一个或多个缺陷目标区域的位置；控制粒子束源检查一个或多个缺陷目标区域；基于在一个或多个缺陷目标区域的检查期间获取的检测器信号识别一个或多个缺陷目标区域内的一个或多个缺陷；控制粒子束源修复一个或多个缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 粒子束 装置 缺陷 修复 方法 光刻 曝光 工艺 系统 | ||
【主权项】：
暂无信息
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