[发明专利]集成电路封装及其形成方法在审
| 申请号： | 201980053593.9 | 申请日： | 2019-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN112930596A | 公开（公告）日： | 2021-06-08 |
| 发明（设计）人： | C·金;M·E·亨舍尔 | 申请（专利权）人： | 美敦力公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L23/15;H01L23/538 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 钱慰民;张鑫 |
| 地址： | 美国明*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开了集成电路封装以及形成这种封装的方法的各种实施例。所述封装包括具有玻璃芯层的衬底，其中所述玻璃芯层包括第一主表面、第二主表面以及设置在所述玻璃芯层的第一主表面与第二主表面之间的腔。所述封装还包括：设置在所述玻璃芯层的腔中的管芯；设置在所述腔中、在所述管芯与所述腔的侧壁之间的的包封体；被设置成邻近所述玻璃芯层的第一主表面的第一图案化导电层；以及被设置成邻近所述玻璃芯层的第二主表面的第二图案化导电层。所述管芯被电连接至所述第一图案化导电层和所述第二图案化导电层中的至少一个。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 封装 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于美敦力公司，未经美敦力公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201980053593.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
