[发明专利]导电膜形成方法、以及配线基板的制造方法在审
| 申请号： | 201980035587.0 | 申请日： | 2019-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN112292473A | 公开（公告）日： | 2021-01-29 |
| 发明（设计）人： | 猿渡哲也;吉冈尚规;大岸厚文;渡边充広;本间英夫;克里斯托弗·欧内斯特·约翰·科多尼尔 | 申请（专利权）人： | 株式会社岛津制作所;学校法人关东学院 |
| 主分类号： | C23C14/02 | 分类号： | C23C14/02;C23C14/14;C23C14/34;H05K3/16 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 薛恒;王琳 |
| 地址： | 日本京都府京都*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 导电膜形成方法包括：在远离耐压腔室内所设置的高密度等离子体产生源的位置配置处理对象物；对耐压腔室内进行减压；对等离子体产生源供给反应气体而形成等离子体状态；使处理对象物曝露于等离子体产生源中经高反应性化的反应气体中；不使曝露于反应气体的处理对象物曝露于大气中而对处理对象物的表面的一部分进行种晶层的成膜；通过无电解电镀、电解电镀或干式成膜工艺在成膜于处理对象物的种晶层的表面的一部分形成金属膜；以及对形成有种晶层及金属膜的处理对象物进行热处理。 | ||
| 搜索关键词： | 导电 形成 方法 以及 配线基板 制造 | ||
【主权项】：
暂无信息
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