[发明专利]一种复合硅衬底及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 201911421074.1 | 申请日： | 2019-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN111477535B | 公开（公告）日： | 2022-10-11 |
| 发明（设计）人： | 蔡文必;房育涛;刘波亭;李健;张恺玄 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L29/778;H01L33/12;C30B25/04;C30B29/40 |
| 代理公司： | 厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204 | 代理人： | 张松亭;陈淑娴 |
| 地址： | 361000 福建省厦门*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种复合硅衬底及其制备方法，所述复合硅衬底包括第一硅层、图形化硅层和第二硅层；所述第二硅层形成用于异质外延生长的表面，所述图形化硅层夹设于所述第一硅层和第二硅层之间并形成复数个微纳米空腔以衰减由所述第二硅层传递向所述第一硅层的应力。本发明的复合硅衬底可以增加异质外延生长中的存储压应力和减小衬底的翘曲，生长更厚的异质外延薄膜。本发明还公开了基于上述复合硅衬底的氮化镓外延结构，有效减小缓冲层垂直漏电，改善器件的电学特性，为硅基氮化镓高压器件制作提供可能，适合实际生产应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 复合 衬底 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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