[发明专利]一种半导体封装结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201911194944.6 | 申请日： | 2019-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN110931368B | 公开（公告）日： | 2021-04-30 |
| 发明（设计）人： | 蔡钦洪;王桥 | 申请（专利权）人： | 深圳扬兴科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L21/48;H01L23/31;H01L23/367;H01L25/16 |
| 代理公司： | 北京成实知识产权代理有限公司 11724 | 代理人： | 陈永虔 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市龙华区龙华街道*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种半导体封装结构及其制备方法，该方法包括以下步骤：在导热基底的上表面形成多个容置凹腔，在每个所述容置凹腔中均设置一高散热型半导体芯片，在所述导热基底的上表面依次设置第一、第二、第三热阻绝缘层，在所述第三热阻绝缘层上沉积形成金属布线层，在所述金属布线层上设置多个低散热型半导体芯片，使得每个所述低散热型半导体芯片与相应的所述高散热型半导体芯片进行电性连接；在所述金属布线层上设置多个引脚，在所述导热基底的四周边缘处形成一环形凹槽；接着通过模塑工艺形成一封装层，所述封装层的一部分嵌入到所述环形凹槽中，最后减薄所述导热基底。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 封装 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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