[发明专利]形成图案的方法和使用该方法制造半导体装置的方法在审
| 申请号： | 201911080316.5 | 申请日： | 2019-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN111415861A | 公开（公告）日： | 2020-07-14 |
| 发明（设计）人： | 李明东;崔民洙;安浚赫;韩成熙;洪世罗 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/033 | 分类号： | H01L21/033 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 赵南;张青 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供了形成图案的方法和使用该方法制造半导体装置的方法。在目标层上形成第一掩膜层和第二掩膜层。图案化第二掩膜层以形成第二掩膜图案，每个第二掩膜图案具有菱形形状，菱形形状具有第一对角线和第二对角线。通过蚀刻对第二掩膜图案执行修整处理以形成第二掩膜。每个第二掩膜图案的相对的第一顶点的第一部分比每个第二掩膜图案的相对的第二顶点的第二部分蚀刻得更多。相对的第一顶点之间的第一对角线的长度大于相对的第二顶点之间的第二对角线的长度。通过使用第二掩膜作为蚀刻掩膜蚀刻第一掩膜层，来图案化第一掩膜层以形成第一掩膜。通过使用第一掩膜作为蚀刻掩膜蚀刻目标层，来图案化目标层以形成目标图案。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 图案 方法 使用 制造 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社，未经三星电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201911080316.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
