[发明专利]半导体装置及操作半导体装置的方法有效
| 申请号： | 201911030714.6 | 申请日： | 2019-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN111554338B | 公开（公告）日： | 2023-06-06 |
| 发明（设计）人： | 李熙烈;徐智贤;金世训 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/04 | 分类号： | G11C16/04;G11C16/08;G11C16/10;G11C16/30;G11C16/34 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 刘久亮;黄纶伟 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本文可以提供半导体装置及操作半导体装置的方法。该方法可以包括：使用第一编程脉冲、第一位线电压、第一预验证电压和第一主验证电压对被选存储器单元执行第一编程操作，并且在第一预验证电压和第一主验证电压之间具有第一电平差；以及使用第二编程脉冲、第二位线电压、第二预验证电压和第二主验证电压对被选存储器单元执行第二编程操作，并且在第二预验证电压与第二主验证电压之间具有第二电平差。第二电平差可以小于第一电平差，并且第二位线电压的电平可以高于第一位线电压的电平。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 操作 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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