[发明专利]一种高功率芯片封装散热结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201911028688.3 | 申请日： | 2019-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN112736184B | 公开（公告）日： | 2022-11-15 |
| 发明（设计）人： | 侯峰泽;张国旗;叶怀宇 | 申请（专利权）人： | 深圳第三代半导体研究院 |
| 主分类号： | H01L33/64 | 分类号： | H01L33/64 |
| 代理公司： | 北京华创智道知识产权代理事务所(普通合伙) 11888 | 代理人： | 彭随丽 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种高功率芯片封装散热结构，包括：高功率芯片封装，散热器，所述高功率芯片封装包括高功率芯片阵列、基板，所述高功率芯片阵列至少包括一个高功率芯片子单元，从晶圆上切割m×n的高功率芯片子单元获得所述高功率芯片阵列，所述高功率芯片阵列每个子单元之间已电气连接，m≥1，n≥1；所述基板包括至少一个通孔，所述高功率芯片阵列嵌入所述通孔内，通过焊接的方式直接键合到散热器上。本发明解决了现有高功率芯片封装散热结构散热性差、寿命短及效率低的技术问题，缩短了散热路径，提高了高功率芯片的散热性能，突破传统散热的局限性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功率 芯片 封装 散热 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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