[发明专利]一种碳化硅横向MOSFET器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201910961703.3 | 申请日： | 2019-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN110729354A | 公开（公告）日： | 2020-01-24 |
| 发明（设计）人： | 温正欣;叶怀宇;张新河;陈施施;张国旗 | 申请（专利权）人： | 深圳第三代半导体研究院 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/16;H01L21/336 |
| 代理公司： | 11226 北京中知法苑知识产权代理有限公司 | 代理人： | 阎冬 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件领域，公开了一种碳化硅横向MOSFET器件及其制备方法，该器件结构包含一N+型高掺杂衬底，其上依次为一P+型隔离层，一P‑型漂移区。P‑漂移区顶部两侧为N型源区和N型RESURF区，N型源区上方为N+型源接触区，N型RESURF区上方为N+型漏接触区。N型源区和N型RESURF区之间的裸露在外的P‑型漂移区上方覆盖有栅介质层。栅介质层横向延伸覆盖N型RESURF区，栅介质层之上为栅极，N+型源接触区7之上为源极电极，N+型漏接触区之上为漏极电极。该器件不存在离子注入区域，大幅降低了器件成本，提高了器件良品率。器件为横向器件结构，便于实现集成。本发明还提供了该碳化硅横向MOSFET器件的制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 栅介质层 漂移区 横向MOSFET器件 漏接触区 源接触区 碳化硅 制备 半导体器件领域 离子注入区域 横向器件 横向延伸 漏极电极 器件成本 器件结构 源极电极 高掺杂 隔离层 良品率 衬底 覆盖 裸露 | ||
【主权项】：
1.一种碳化硅横向MOSFET器件，其特征在于：包括一N+型高掺杂衬底，其上依次为一P+型隔离层，一P-型漂移区；所述P-型漂移区顶部两侧为N型源区和N型RESURF区；所述N型源区上方为N+型源接触区，所述N型RESURF区上方为N+型漏接触区；所述N型源区和所述N型RESURF区之间的裸露在外的P-型漂移区上方覆盖有栅介质层，所述栅介质层横向延伸覆盖所述N型RESURF区；所述栅介质层上方为栅极，N+型源接触区上方为源极电极，N+型漏接触区上方为漏极电极。/n
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