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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]SOI横向MOSFET器件-CN201010173833.X有效
发明人：罗小蓉;弗罗林·乌德雷亚 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2010-05-17 - 公布日： 2010-09-22 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及半导体功率器件和功率集成电路。本发明公开一种SOI横向MOSFET器件。其技术方案是：采用纵向延伸至介质埋层的槽栅；在漂移区引入介质槽，其介质的介电系数小于有源层的介电系数，并在介质槽中形成埋栅，从而构成本发明的SOI横向MOSFET器件。本发明一方面使器件耐压大大提高并缩小器件横向尺寸，起主要作用的是介质槽；另一方面，槽栅增大了器件有效纵向导电区域；同时，槽栅和埋栅使沟道密度和电流密度增加；使比导通电阻降低，进而降低功耗。再者，介质槽降低了栅-漏电容，提高器件的频率和输出功率。本发明的器件具有高压、高速、低功耗，低成本和便于集成的优点，特别适合用于功率集成电路和射频功率集成电路。
soi 横向 mosfet 器件

[发明专利]横向型霍尔器件-CN96102976.5无效
发明人：望月博;藤井佳苗;舟木英之 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 1996-03-28 - 公布日： 2003-10-29 - 主分类号： H01L43/06 文献下载
摘要：一种横向型霍尔器件，它具备有：基板；基板上的第1导电型活性层；把第1导电型活性层围起来的第1个第2导电型半导体层；在第1导电型活性层表面上形成对的高杂质浓度的第1个第1导电型半导体层和第2个第1导电型半导体层
横向霍尔器件

[发明专利]横向半导体器件-CN201280023653.0无效
发明人：铃木隆司;户仓规仁;白木聪;高桥茂树;芦田洋一;山田明 -专利权人：株式会社电装
申请日： 2012-05-10 - 公布日： 2014-01-29 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：一种横向半导体器件包括半导体层（16）、绝缘层（37）以及电阻性场板（30）。
横向半导体器件

[发明专利]横向半导体器件-CN03814880.3无效
发明人：弗罗林·尤德莱亚 -专利权人：剑桥半导体有限公司
申请日： 2003-06-19 - 公布日： 2005-08-31 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种横向半导体器件(10)，其具有在绝缘衬底(16)上的半导体层(15)。半导体层(15)具有第一导电类型的第一区(12)和第二导电类型的第二区(13)，两区之间是漂移区(14)。
横向半导体器件

[发明专利]横向功率半导体器件-CN202110476270.X在审
发明人：乔明;张书豪;袁章亦安;侯迪璨;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2021-04-29 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种横向功率半导体器件，包括：位于器件底部的第一类型掺杂衬底、第二类型掺杂漂移区、第二类型重掺杂漏区，第一类型掺杂体区；第一类型重掺杂体接触区和第二类型重掺杂源区，第二类型重掺杂源区的右侧为介质层本发明相较于传统槽栅器件，引入了横向沟道，增大了电流密度，实现较小的沟道导通电阻。本发明的一些实施例在此基础上，进一步减小栅漏电容，实现较好的频率特性，以及用RESURF技术进一步降低漂移区导通电阻。
横向功率半导体器件

[发明专利]横向功率半导体器件-CN202211566422.6在审
发明人：斯特凡诺·达尔卡纳莱;亚当·布朗;吉姆·帕金 -专利权人：安世有限公司
申请日： 2022-12-07 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：本发明涉及一种横向功率半导体器件，包括：源极焊盘区域，其形成在器件的金属层中；漏极焊盘区域，其与源极焊盘间隔开并形成在器件的该金属层中；多个导电指状物，其形成在器件的另一金属层中，并且包括：多个平行的源极指状物
横向功率半导体器件

[发明专利]横向高压半导体器件-CN201410804861.5有效
发明人：潘光燃;石金成;文燕;王焜;高振杰 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2014-12-19 - 公布日： 2019-01-29 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供了一种横向高压半导体器件，包括：第一导电类型的衬底；第二导电类型的第一掺杂区，形成在所述衬底内靠近所述横向高压半导体器件的高压端一侧，第一导电类型的第二掺杂区，形成在所述衬底内靠近所述横向高压半导体器件的低压端一侧，所述第二掺杂区与所述第一掺杂区相邻；第二导电类型的第三掺杂区，形成在所述第一掺杂区之下，自所述横向高压半导体器件的高压端一侧向所述横向高压半导体器件的低压端一侧延伸，至少一个第一导电类型的第四掺杂区，本发明的横向高压半导体器件缓解了击穿电压和导通电阻两者之间的矛盾。
横向高压半导体器件

[发明专利]平板机及压板方法-CN202111326934.0在审
发明人：刘德坷;窦建伟;陈腾飞;董彪;朱万青;黎鑫;马绪伟;张永刚 -专利权人：山东鲁能光大钢结构有限公司
申请日： 2021-11-10 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： B21D1/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种平板机及压板方法，涉及钢板整形技术领域，本发明提供的平板机，包括：机架、液压驱动器件、基座和横向驱动器件；液压驱动器件沿x轴滑动连接于机架上，横向驱动器件安装于机架，且横向驱动器件与液压驱动器件传动连接；基座与机架连接，液压驱动器件的端头与基座之间形成压板区。本发明提供的平板机及压板方法，通过横向驱动器件可驱动液压驱动器件横向移动，从而改变压力作用位置，由此可以高效地实现对钢板的加压整形。
平板机压板方法

[发明专利]一种卷筒式横向热电器件及其制造方法-CN202010446585.5有效
发明人：周洪宇;钱国平;于华南;龚湘兵;李希;蔡军;祝轩 -专利权人：长沙理工大学
申请日： 2020-05-25 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： H01L35/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种卷筒式横向热电器件及其制造方法，其由横向热电器件和导线组成，所述横向热电器件由两种异质材料倾斜交替排列形成的异质膜和柔性基板组合而成，横向热电器件卷曲形成卷筒式结构，其始、末两端设有导线卷筒式横向热电器件经搅拌、超声、3D打印或丝网印刷、烧结、卷曲而成。本发明可以在设置的路径下实现任意几何构造的横向热电器件的制造，且卷筒式横向热电器件具有大长厚比，可实现小温差下高输出电压，特别适合小温差下电能高效收集。
一种卷筒横向热电器件及其制造方法

[实用新型]功率器件、用于功率器件制造的光掩膜板及集成电路-CN202120454112.X有效
发明人：张曌;李杰 -专利权人：深圳深爱半导体股份有限公司
申请日： 2021-03-02 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种功率器件、用于功率器件制造的光掩膜板及集成电路，该功率器件包括：主结和横向变掺杂终端。其中，所述横向变掺杂终端最靠近所述主结的位置与所述主结的间距为第一预设距离，所述第一预设距离大于或等于主结横向扩散尺寸，小于或等于5倍的主结横向扩散尺寸，所述主结横向扩散尺寸为主结掺杂后的横向热扩散尺寸该功率器件横向变掺杂终端最靠近所述主结的位置与所述主结的间距满足第一预设距离，功率器件的反压漏电正常，功率器件可以正常使用。
功率器件用于制造光掩膜板集成电路

[实用新型]一种晶圆结构-CN202023060772.4有效
发明人：林科闯;何俊蕾;刘成;郭德霄;汪晓媛;梁玉玉;叶念慈;房育涛;许亚坡 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2020-12-17 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种晶圆结构，它包括衬底、生长在衬底上的氮化镓基外延结构、基于氮化镓基外延结构制备的具有横向沟道的器件和纵向沟道的器件，横向沟道器件和纵向沟道器件的栅长方向分别平行于氮化镓晶体晶系的两个等效晶向，横向沟道器件的栅长方向垂直纵向沟道器件的栅长方向。它具有如下优点：保持横向与纵向布局器件电学特性的一致性。
一种结构

[发明专利]横向和垂直器件的单向ESD保护-CN202211112232.7在审
发明人： E·泰莱特;V·V·温特;J·A·威廉 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2022-09-13 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本公开涉及横向和垂直器件的单向ESD保护。一种半导体器件包括半导体本体、设置在半导体本体的上表面上的第一接触焊盘和第二接触焊盘、形成在半导体本体中的横向ESD保护器件、以及形成在半导体本体中的垂直ESD保护器件，其中横向ESD保护器件和垂直ESD保护器件一起在第一接触焊盘与第二接触焊盘之间形成单向器件，并且其中横向ESD保护器件形成在半导体本体的第一部分中，该第一部分与垂直ESD保护器件的垂直电流路径横向电隔离。
横向垂直器件单向 esd 保护

[发明专利]横向功率半导体器件和用于制造横向功率半导体器件的方法-CN201410177306.4有效
发明人： A·毛德;N·西森;R·威斯 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2014-04-29 - 公布日： 2017-06-13 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：横向功率半导体器件包括半导体主体、第一主电极、第二主电极、多个可切换半导体单元和至少一个弯曲半导体部分，该半导体主体具有第一表面和与第一表面相对的第二表面。
横向功率半导体器件用于制造方法

[发明专利]横向高压器件及其制造方法-CN201510477666.0在审
发明人：乔明;代刚;王裕如;周锌;何逸涛;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2015-08-07 - 公布日： 2015-11-18 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种横向高压器件及其制备方法，器件元胞结构包括第一导电类型半导体衬底、第二导电类型半导体漂移区，第二导电类型半导体漂移区自下而上依次层叠设置多个第二导电类型半导体子漂移区，方法为：采用离子注入工艺在第一导电类型半导体衬底上注入第二导电类型半导体第一漂移区采用离子注入在第二导电类型半导体子漂移区内形成第一导电类型半导体降场层、第二导电类型半导体重掺杂层，本发明是将传统的漂移区制作为多层漂移区叠加的结构，这样每个子漂移区都有一条低阻最近导电路径，可以降低导通电阻；关态时，每个漂移区内的降场层辅助耗尽漂移区，从而提高器件的击穿电压
横向高压器件及其制造方法

[发明专利]横向高压器件及其制造方法-CN201510478465.2在审
发明人：乔明;王裕如;代刚;周锌;何逸涛;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2015-08-07 - 公布日： 2015-12-16 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种横向高压器件及其制备方法，器件的元胞结构包括第一导电类型半导体衬底、第二导电类型半导体漂移区，第二导电类型半导体漂移区自下而上依次层叠设置多个第二导电类型半导体子漂移区，方法为：采用外延工艺依次形成第二导电类型半导体子漂移区在第二导电类型半导体子漂移区中注入形成第一导电类型半导体降场层、第二导电类型半导体重掺杂层和第一导电类型半导体体区，本发明是将传统的漂移区结构制作为多层漂移区叠加构成漂移区的结构，这样每个子漂移区都有一条低阻的最近导电路径，可以降低器件的导通电阻；关态时，每个漂移区内的降场层辅助耗尽漂移区，从而提高器件的击穿电压，缓解比导通电阻和耐压的矛盾关系。
横向高压器件及其制造方法

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