[发明专利]单晶异种二维材料的外延生长方法及层叠结构体在审
| 申请号： | 201910951006.X | 申请日： | 2019-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN111005066A | 公开（公告）日： | 2020-04-14 |
| 发明（设计）人： | 金秀珉;李柱松;高厦荣;具惠英 | 申请（专利权）人： | 韩国科学技术研究院 |
| 主分类号： | C30B25/18 | 分类号： | C30B25/18;C30B29/68 |
| 代理公司： | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人： | 姜虎;陈英俊 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开单晶异种二维材料的外延生长方法及层叠结构体。该方法包括如下步骤：形成单晶h‑BN模板；在所述h‑BN模板上沉积异种前体，以形成多个核；以及使被沉积的多个核进行范德华外延生长，以形成异种结构层，其中，所述异种结构层为单晶。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶异种 二维 材料 外延 生长 方法 层叠 结构 | ||
【主权项】：
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- 本发明公开了一种超宽禁带半导体双掺杂金刚石及其制备方法，利用微波等离子体化学气相沉积法，以甲烷、氢气、四氟化碳及二乙基铍蒸汽为生长气源，在经过预处理、金刚石形核后的衬底上生长出含氟、铍元素的双掺杂金刚石。本发明通过纳米金刚石种子溶液植晶增加金刚石形核密度，使沉积的金刚石层粗糙度降低；在金刚石生长过程中加入含氟、铍元素的气源，氟、铍掺杂原子对主体碳原子替位，不会明显改变金刚石的晶格结构，氟作为施主杂质、铍作为受主杂质的双掺杂属于浅能级掺杂，提高了金刚石的载流子浓度及迁移率；沉积结束时形成C‑H终端结构，并通过退火调节应力分布，稳定成分均匀性，提高了双掺杂金刚石的电学性能和机械性能。
- 一种在氮化镓衬底上二次生长氧化镓的方法-202310160130.0
- 徐明升;滕达;孙振;葛磊;徐现刚 - 山东大学
- 2023-02-24 - 2023-07-04 - C30B25/18
- 本发明涉及一种在氮化镓衬底上制备氧化镓薄膜的方法，该方法第一步热氧化氮化镓衬底制备氧化镓薄膜，第二步在低压化学气相沉积设备中在热氧化后的衬底上进行二次生长。MOCVD在蓝宝石衬底上生长的(002)面氮化镓为衬底，热氧化方法在传统管式炉内通入氧气作为氧化气体高温下热氧化氮化镓制备氧化镓薄膜。该方法制备工艺较为简单，重复性较高，成本较低，通过二次生长法可以在氮化镓衬底上制备出高质量的氧化镓薄膜。
- 一种激光晶体上生长金刚石的方法-202310205226.4
- 张书隆;杭寅;朱影;赵呈春;何明珠;蔡双 - 中国科学院上海光学精密机械研究所
- 2023-03-06 - 2023-07-04 - C30B25/18
- 一种在激光晶体上生长金刚石的方法，首先在激光晶体表面制备具有特定深宽比的微结构，然后通过化学气相沉积法分两步进行金刚石的生长，最后对生长的金刚石研磨抛光，使其平整化。本发明能够有效提升金刚石在激光晶体上的形核密度，降低金刚石的内应力，并能显著增强金刚石和激光晶体间的结合力。使用本方法获得的金刚石，可以有效提高激光晶体在激光应用时的散热能力。
- 利用化学气相沉积法合成大尺寸金刚石晶体的方法-202310355224.3
- 薄一恒;徐如颜;林军 - 浙江桦茂科技有限公司
- 2023-04-06 - 2023-06-27 - C30B25/18
- 本发明公开了利用化学气相沉积法合成大尺寸金刚石晶体的方法，以单晶硅为基底，然后依次沉积SiO
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