[发明专利]晶体管外延生长方法和晶体管的制备方法在审

申请号：	201910922368.6	申请日：	2019-09-27
公开（公告）号：	CN110660666A	公开（公告）日：	2020-01-07
发明（设计）人：	颜志泓;林志东	申请（专利权）人：	厦门市三安集成电路有限公司
主分类号：	H01L21/324	分类号：	H01L21/324;H01L29/10;H01L21/331
代理公司：	11646 北京超成律师事务所	代理人：	张栋栋
地址：	361100 福建省厦门***	国省代码：	福建;35
权利要求书：	查看更多	说明书：	查看更多
摘要：	本申请提供了一种晶体管外延生长方法和晶体管的制备方法，涉及半导体和通信技术领域。晶体管外延生长方法包括：通入第一前驱物，形成基电极层；关断所述第一前驱物，对所述基电极层进行热退火处理；在热退火处理后的所述基电极层上，通入第二前驱物，形成发射极层。对所述基电极层进行热退火处理，能够使基电极层中的碳掺杂键结型态稳定，避免碳掺杂键结因器件操作时偏压获能后再次裂解出碳原子，避免基电极层中的p型掺杂浓度增加，从而避免电流增益增加，改善暂态效应。
搜索关键词：	基电极层前驱物热退火晶体管外延生长碳掺杂键结通信技术领域电流增益发射极层浓度增加器件操作暂态效应碳原子关断裂解制备半导体申请
钻瓜网技术展会专利词库专利权人专利榜在售专利公布日期热门专利

【主权项】：

1.一种晶体管外延生长方法，其特征在于，包括：/n通入第一前驱物，形成基电极层(600)；/n关断所述第一前驱物，对所述基电极层(600)进行热退火处理；/n在热退火处理后的所述基电极层(600)上，通入第二前驱物，形成发射极层(700)。/n

下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。

免登录下载普通用户下载升级VIP会员，免费下载

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于厦门市三安集成电路有限公司，未经厦门市三安集成电路有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】

本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910922368.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。

同类专利

一种降低SOI硅片应力的制备方法-201911028059.0
发明人：王新 -专利权人：沈阳硅基科技有限公司
申请日： 2019-10-28 - 公布日： 2020-01-31 - 主分类号： H01L21/324
摘要：本发明提供一种降低SOI硅片应力的制备方法，包括：对第一硅片进行氧化，得具有氧化层的第一硅片；将具有氧化层的第一硅片注入氢离子，使用浓硫酸和双氧水混合液、SC1和SC2清洗，得注入后的第一硅片；对注入后的第一硅片进行第一低温退火处理，使用SC1、SC2清洗，得处理后的第一硅片；使用SC1、SC2清洗第二硅片，将清洗后的第二硅片与处理后的第一硅片常温下进行键合以及第二低温退火处理，得键合片；对键合片进行裂片，得SOI；采用化学机械抛光去除500～2000A的SOI膜厚，即得。本发明的降低SOI硅片应力的制备方法，通过注入后低温退火来减小SOI硅片内部的应力，从而制备出弯曲度值小的SOI硅片。

晶圆热处理的方法-201610120562.9
发明人：肖德元;张汝京 -专利权人：上海新昇半导体科技有限公司
申请日： 2016-03-03 - 公布日： 2020-01-24 - 主分类号： H01L21/324
摘要：本发明提出了一种晶圆热处理的方法，将晶圆置于含有一无氧混合气体的环境中，对该晶圆的一表面进行一快速升温处理，接着将该晶圆置于一含有一含氧气体的环境中，对该晶圆的一表面进行一快速降温处理，使得晶圆的表面上形成一无缺陷区，获得在之后工艺中可以释放出以改善半导体器件的界面特性的氘，并控制体微缺陷的位置远离制造半导体器件的有源区。

灯的固持及绝缘特征结构-201580026139.6
发明人：姚东明;约瑟夫·M·拉内什;欧勒格·V·塞雷布里安诺夫 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2015-03-18 - 公布日： 2020-01-10 - 主分类号： H01L21/324
摘要：本公开内容的实施方式一般涉及用于热处理腔室中被用作热辐射源的灯的经改良的固持及绝缘特征结构。在一个实施方式中，提供处理腔室。该处理腔室包括用于半导体基板热处理的灯组件、灯组件壳体、功率分配组件及分隔板，灯组件具有灯电连接器及第一侧向操作元件，灯组件壳体具有用于容纳灯组件的通道，功率分配组件具有用于承接灯电连接器及将功率传送到灯电连接器的插座，分隔板设置于灯组件壳体与功率分配组件之间，其中分隔板具有经成形以允许灯电连接器通过分隔板的通道，及分隔板具有固持特征结构，固持特征结构经构造以啮合或松开第一侧向操作元件。

扫描脉冲退火装置及方法-201580035113.8
发明人：阿伦·缪尔·亨特;阿米科姆·萨德;塞缪尔·C·豪厄尔斯;道格拉斯·E·霍姆格伦;布鲁斯·E·亚当斯;西奥多·P·莫菲特;斯蒂芬·莫法特 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2015-06-15 - 公布日： 2020-01-10 - 主分类号： H01L21/324
摘要：一种用于热处理基板的装置、系统及方法。脉冲电磁能量源能以至少100Hz的频率产生脉冲。可移动基板支撑件可相对于电磁能量脉冲移动基板。光学系统可设置在能量源和可移动基板支撑件之间，且可包含将电磁能量脉冲塑形成矩形分布的部件。控制器可命令所述电磁能量源以选定的脉冲频率产生能量脉冲。所述控制器也可命令所述可移动基板支撑件以选定的速度在平行于所述矩形分布的选定的边缘的方向上进行扫描，使得沿着平行于所述选定的边缘的直线上的每个点接收预定数量的电磁能量脉冲。

晶体管外延生长方法和晶体管的制备方法-201910922368.6
发明人：颜志泓;林志东 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2019-09-27 - 公布日： 2020-01-07 - 主分类号： H01L21/324
摘要：本申请提供了一种晶体管外延生长方法和晶体管的制备方法，涉及半导体和通信技术领域。晶体管外延生长方法包括：通入第一前驱物，形成基电极层；关断所述第一前驱物，对所述基电极层进行热退火处理；在热退火处理后的所述基电极层上，通入第二前驱物，形成发射极层。对所述基电极层进行热退火处理，能够使基电极层中的碳掺杂键结型态稳定，避免碳掺杂键结因器件操作时偏压获能后再次裂解出碳原子，避免基电极层中的p型掺杂浓度增加，从而避免电流增益增加，改善暂态效应。

包含光纤加热的基板温度控制装置、基板温度控制系统、电子器件处理系统及方法-201580029541.X
发明人：马修·巴斯彻;小温德尔·博伊德;维贾伊·D·帕克赫;迈克尔·R·赖斯;利昂·沃尔福夫斯基 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2015-05-21 - 公布日： 2020-01-03 - 主分类号： H01L21/324
摘要：本文说明了包括光纤温度控制的基板温度控制装置。基板温度控制装置包括基部、在该基部近处的热接触元件、及适于侧向延伸于该基部与该热接触元件之间且提供以光为基础的加热的多个光纤。本文也以其它多种构想说明了包括光纤温度控制的方法、基板温度控制系统与电子器件处理系统。

一种IGBT硅片背面退火方法-201610379104.7
发明人：周炯 -专利权人：上海微电子装备(集团)股份有限公司
申请日： 2016-05-31 - 公布日： 2019-12-24 - 主分类号： H01L21/324
摘要：本发明提出一种IGBT硅片背面退火方法，包括下列步骤：完成IGBT硅片的正面工艺；对所述硅片背面进行减薄工艺，将其研磨至所需厚度；将减薄后硅片的器件面与基底进行有机胶临时键合；对所述硅片进行离子注入；对所述硅片背面进行退火处理；进行临时解键合工艺，将硅片与基底分离；所述基底的的材料为玻璃基底，厚度为100～500μm。本发明提出的IGBT硅片背面退火方法，采用808nm+双527nm激光波长组合，利用键合基底对底部硅片的热量起到阻热作用，间接提供了底部预热功能，同样可以实现大结深IGBT退火工艺需求。

晶圆加热装置-201920528620.0
发明人：孔志能 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2019-04-16 - 公布日： 2019-12-20 - 主分类号： H01L21/324
摘要：本实用新型实施例涉及半导体制造领域，公开了一种晶圆加热装置，所述晶圆加热装置包括用于加热晶圆的热板、设置在所述热板上且用于固定晶圆的承载结构，所述承载结构远离所述热板的一端端面与所述热板表面形成的夹角可调节、所述承载结构在所述热板的轴向方向上可伸缩。本实用新型提供的晶圆加热装置能够使晶圆表面各区域的受热温度不同，为在晶圆上形成厚度不一的光刻胶膜创造工艺条件。

一种LTCC基板组件及其共晶烧结工艺方法-201510919650.0
发明人：张群力;宋云乾;刘侨 -专利权人：中国航空工业集团公司雷华电子技术研究所
申请日： 2015-12-11 - 公布日： 2019-12-17 - 主分类号： H01L21/324
摘要：本发明涉及一种LTCC基板组件及其共晶烧结工艺方法，LTCC基板组件包括LTCC基板(2)、0.08mm厚预成型银锡焊片(3)、毛纽扣安装孔(即CNA8高温保护阻焊胶涂覆位置)(4)、LTCC基板结构件(5)，LTCC基板组件放入至弹性定位工装(1)中构成产品件。本发明适合多尺寸的专用弹力工装，可将基板空洞率由80％以下提高到90％以上；设计毛纽扣安装孔的保护工艺，实现对不同连接器安装孔的焊接过程的精确保护，不会对后续连接器进行安装产生影响。同时采用银锡焊片作为焊接材料，可实现焊料量的高精度控制，提高产品的一致性。

使用快速热加工形成异质外延层以除去晶格位错-201480038172.6
发明人： A·M·霍雷卢克;G·森达拉姆;R·巴蒂亚 -专利权人：雅达公司
申请日： 2014-06-25 - 公布日： 2019-11-26 - 主分类号： H01L21/324
摘要：本发明公开了用于通过使用原子层沉积(ALD)然后快速热退火来在硅基底上生长氮化镓层的氮化镓装置的装置生产的方法和装置。氮化镓直接在硅上生长或在生长在硅基底上的氮化铝阻挡层上生长。一个层或者两个层都通过快速热退火进行热加工。优选地，ALD法使用低于550℃且优选低于350℃的反应温度。该快速热退火步骤使涂布表面的温度在少于12msec内提高到550至1500℃的温度。

有沟槽引导式光纤加热的温度控制设备、基板温度控制系统、电子器件处理系统及处理方法-201580032721.3
发明人：马修·巴斯彻;小温德尔·博伊德;德米特里·A·季利诺;维贾伊·D·帕克赫;迈克尔·R·赖斯;利昂·沃尔福夫斯基 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2015-06-12 - 公布日： 2019-11-19 - 主分类号： H01L21/324
摘要：包括沟槽引导式光纤的基板温度控制设备。基板温度控制设备包括上部和下部构件(其中一者或两者包括沟槽)及多个在沟槽中被引导的光纤。在一个实施方式中，这些光纤适于提供基于光的像素化加热。在另一个实施方式中，嵌入式光温度传感器适于提供温度测量。描述了基板温度控制系统、电子器件处理系统、及包括沟槽引导式光纤温度控制和测量的方法作为许多其它的构想。

专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

免登录下载普通用户下载升级VIP会员，免费下载

[发明专利]晶体管外延生长方法和晶体管的制备方法在审

专利文献下载