[发明专利]外延生长设备和外延生长方法在审
| 申请号： | 201910979234.8 | 申请日： | 2019-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN110578166A | 公开（公告）日： | 2019-12-17 |
| 发明（设计）人： | 费璐;林志鑫;曹共柏;王华杰;董晨华;季文明 | 申请（专利权）人： | 上海新昇半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B25/20 | 分类号： | C30B25/20;C30B25/16;C30B25/14;C30B29/06 |
| 代理公司： | 31237 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201306 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种外延生长设备和一种外延生长方法。所述外延生长设备的腔体上设置有第一进气口和第二进气口，第一进气口允许用于在晶片上形成外延层的反应气体进入腔体，第二进气口允许用于阻止外延层的沉积的刻蚀气体进入腔体，当晶片的边缘部分具有晶向不同的较快区和较慢区且外延层在较快区比在较慢区生长更快时，在外延过程中，随着晶片的旋转，第二进气口在较快区旋转经过时提供的刻蚀气体的进气速率大于在较慢区旋转经过时提供的刻蚀气体的进气速率，从而刻蚀气体对于较快区的外延层的去除效率更大，可以对较快区和较慢区的外延生长进行调节，有助于提高外延层的厚度均一性，降低局部平直度，提高外延晶片的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 进气口 外延层 刻蚀气体 晶片 外延生长设备 外延生长 进入腔 进气 厚度均一性 反应气体 外延过程 外延晶片 平直度 晶向 腔体 去除 沉积 生长 | ||
【主权项】：
1.一种外延生长设备，其特征在于，所述外延生长设备包括腔体及位于腔体内的衬托器，所述衬托器用于放置晶片并在外延生长过程中带动晶片旋转，所述腔体上设置有第一进气口和第二进气口，所述第一进气口允许用于在所述晶片上形成外延层的反应气体进入所述腔体内，所述第二进气口允许用于阻止所述外延层的沉积的刻蚀气体进入所述腔体内；当所述晶片的边缘部分具有晶向不同的较快区和较慢区且所述外延层在所述较快区比在所述较慢区生长更快时，在外延生长过程中，随着所述晶片的旋转，所述第二进气口在所述较快区旋转经过时提供的刻蚀气体的进气速率大于在所述较慢区旋转经过时提供的刻蚀气体的进气速率。/n
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