[发明专利]半导体结构、存储器装置和系统以及形成它们的方法在审
| 申请号： | 201910832635.0 | 申请日： | 2019-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN110880448A | 公开（公告）日： | 2020-03-13 |
| 发明（设计）人： | M·米奇;M·纳哈尔 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/304;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请涉及半导体结构、存储器装置和系统以及形成它们的方法。一种形成半导体结构的方法包含通过气相外延在基础材料上形成第一材料。所述第一材料具有晶体部分和非晶部分。通过研磨平面化去除所述第一材料的所述非晶部分。通过气相外延在所述第一材料的所述晶体部分上形成至少第二材料。所述第二材料具有晶体部分和非晶部分。通过研磨平面化去除所述第二材料的所述非晶部分。通过此方法形成的半导体结构包含基板、所述第一材料、所述第二材料和任选地在所述第一材料和所述第二材料之间的氧化物材料。所述基板、所述第一材料和所述第二材料限定连续的晶体结构。还公开了半导体结构、存储器装置和系统。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 存储器 装置 系统 以及 形成 它们 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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