[发明专利]一种深结雪崩倍增光控晶闸管及其触发控制系统在审

申请号：	201910622121.2	申请日：	2019-07-10
公开（公告）号：	CN110265510A	公开（公告）日：	2019-09-20
发明（设计）人：	杨建红;尹晋超;师楷;郭小星;王红侠;陈豪翔;许炎;周明	申请（专利权）人：	兰州大学;江苏明芯微电子股份有限公司
主分类号：	H01L31/111	分类号：	H01L31/111;H01L31/0288;H01L31/0224
代理公司：	兰州振华专利代理有限责任公司 62102	代理人：	张晋
地址：	730000 甘肃***	国省代码：	甘肃;62
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摘要：	本发明涉及一种深结雪崩倍增光控晶闸管及其触发控制系统，其中深结雪崩倍增光控晶闸管包括光控晶闸管芯片，所述光控晶闸管芯片包括晶闸管和光触发信号的LED装置，其中所述晶闸管阴极结构包括非欧姆接触型的光生载流子半导体区域和欧姆接触的电流收集区域，所述光控晶闸管芯片还包括设置于结J2处的雪崩倍增区域，通过改变结J2处的浓度差将雪崩倍增机制引入到光控晶闸管内，可自由控制晶闸管的导通与关断，不仅发明了一种新型的导通方式，而且开创了光控晶闸管的全新工作原理及使用方式。
搜索关键词：	光控晶闸管雪崩倍增触发控制系统晶闸管芯片导通半导体区域非欧姆接触光触发信号光生载流子晶闸管阴极电流收集工作原理欧姆接触使用方式自由控制浓度差关断引入
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【主权项】：

1.一种深结雪崩倍增光控晶闸管，其特征在于：包括光控晶闸管芯片，所述光控晶闸管芯片包括晶闸管和光触发信号的LED装置，其中所述晶闸管阴极结构包括非欧姆接触型的光生载流子半导体区域和欧姆接触的电流收集区域，所述光控晶闸管芯片还包括设置于结J2处的雪崩倍增区域。

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专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的

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