[发明专利]基于表面等离激元的光控晶闸管、制作方法及电子设备在审
| 申请号： | 201911067701.6 | 申请日： | 2019-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN110783416A | 公开（公告）日： | 2020-02-11 |
| 发明（设计）人： | 方慧风;和巍巍;汪之涵;张振中;孙军 | 申请（专利权）人： | 深圳基本半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0232 | 分类号： | H01L31/0232;H01L31/111;H01L31/18;G02B5/00 |
| 代理公司： | 44223 深圳新创友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 黄议本 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请实施例公开一种基于表面等离激元的光控晶闸管、制作方法及电子设备。所述光控晶闸管包括光控端；所述光控端设有第一结构；所述第一结构用于使入射光与表面等离激元形成共振耦合作用。所述制作方法包括：在光控晶闸管的光控端形成一个表面；在所述表面制作用于使入射光与表面等离激元形成共振耦合作用的第一结构。所述电子设备包括所述光控晶闸管。本申请实施例可有效提高光控晶闸管的输出电流和开启速率，可使用于光控晶闸管的光源不再受紫外波段约束，能有效拓宽光源的可选择性。 | ||
| 搜索关键词： | 光控晶闸管 表面等离激元 光控 电子设备 共振耦合 入射光 光源 制作 输出电流 紫外波段 申请 | ||
【主权项】：
1.一种基于表面等离激元的光控晶闸管，其特征在于：包括光控端；所述光控端设有第一结构；所述第一结构用于使入射光与表面等离激元形成共振耦合作用。/n
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- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
