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[发明专利]具有刻蚀微孔结构的4H-SiC紫外光电探测器及制备-CN202011012078.7有效
发明人：张峰;付钊;洪荣墩;蔡加法;陈厦平;林鼎渠;吴少雄;吴正云 -专利权人：厦门大学
申请日： 2020-09-22 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：具有刻蚀微孔结构的4H‑SiC紫外光电探测器及制备，所述4H‑SiC紫外光电探测器包括P+层、吸收层和P层环形电极，还包括设于P层环形电极的内周的微孔，其从P+层刻蚀到达吸收层的上表面，微孔的壁面设有钝化层。当紫外光入射到探测器芯片上时，一部分被P+层吸收或者反射；另一部分被吸收层吸收并产生电子‑空穴对，在耗尽区内建电场的驱动下分离，并运动到探测器两端的电极，最后搭载外部负载电路形成电信号，通过检测电信号的大小，就可以判定紫外线强度的大小。微孔结构可减少P+层对紫外光的吸收，使得微孔处，光直接被吸收层吸收，提高探测器的响应度和量子效率，显著增加紫外光电探测器的实用性能。
具有刻蚀微孔结构 sic 紫外光电探测器制备

[发明专利]背照式结构的4H-SiC紫外光电探测器阵列及制备-CN202011005272.2有效
发明人：付钊;张峰;洪荣墩;蔡加法;陈厦平;林鼎渠;吴少雄;吴正云 -专利权人：厦门大学
申请日： 2020-09-22 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：背照式结构的4H‑SiC紫外光电探测器阵列及制备，所述4H‑SiC紫外光电探测器包括从下到上设置的N型金属电极、N+型4H‑SiC衬底、吸收层、本征层；所述本征层通过离子注入的方式形成有多个P+层，用于制备阵列的单个像素点；所述P+层上设有P型金属电极；光从背面的N+型4H‑SiC衬底进行照射，所述N+型4H‑SiC衬底上对应P+层的位置刻蚀有贯穿N+型4H‑SiC衬底的微孔以形成有源区；所述N型金属电极设于N+型4H‑SiC衬底上未开设微孔的位置。一方面从背面刻蚀微孔增加紫外光的吸收，另一方面正面的P型金属电极和背面的N型金属电极恰好可以阻挡可见光的透过，使得硅读出电路不会对可见光产生响应。
背照式结构 sic 紫外光电探测器阵列制备

[发明专利]一种具有信息存储功能的生物可降解忆阻器阵列及制备方法-CN202111485633.2在审
发明人：郭文熹;刘镓榕;陈厦平;李胜优 -专利权人：厦门大学
申请日： 2021-12-07 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：一种具有信息存储功能的生物可降解忆阻器阵列及制备方法，涉及柔性电子器件。忆阻器阵列为垂直四层网状结构，自上而下依次设有上电级阵列、介质层、下电极阵列、柔性丝素蛋白膜基底；上电极阵列为条状金属电极阵列；介质层为由上下两层可降解丝素蛋白膜层及其中间包裹的导电物质构成的3层结构；下电极阵列为条状金属电极阵列，下电极阵列与上电极阵列相互垂直，形成网状结构；柔性丝素蛋白膜基底为天然生物材料制成的透明柔性丝素蛋白膜。器件性能稳定，具有稳定的开关性能。器件具有良好的机械韧性，多角度弯折后仍保持完整的忆阻性能，易于完成电子产品的物理实现。制备工艺简单，操作简便，阵列化制备效率高成本低，器件可降解。
一种具有信息存储功能生物降解忆阻器阵列制备方法

[发明专利]4H‑SiCPIN紫外光电二极管一维阵列芯片及其制备方法-CN201410745796.3有效
发明人： 陈厦平;吴正云;蔡加法;洪荣墩;张自锋;钟金祥 -专利权人：厦门大学
申请日： 2014-12-09 - 公布日： 2017-10-03 - 主分类号： H01L27/144 文献下载
摘要：4H‑SiC PIN紫外光电二极管一维阵列芯片及其制备方法，涉及光电二极管阵列芯片。芯片具有1×128像素，由128个SiC PIN单管沿一维直线排列而成，每个单管均设有n+型SiC衬底，在衬底上依次外延生长n‑型层、p‑型层和p+型层，芯片表面生长氧化硅的钝化膜，在p+型层上设有p型电极，在p型电极上沉积Ti/Au作为焊盘接触金属，在n+型衬底的背面设有n型电极。在外延片上刻蚀出台面结构作为各单管的光敏面；热氧化生长氧化硅钝化层；将p+型层上的氧化层光刻窗口，去除重掺杂n+型衬底上的氧化层，沉积n型电极金属；将p型和n型电极金属退火与外延片形成欧姆接触；在p型欧姆接触电极沉积金属以制备焊盘。
sic pin 紫外光电二极管阵列芯片及其制备方法

[发明专利]双工作模式的4H‑SiC紫外光电探测器及其制备方法-CN201510639610.0有效
发明人：洪荣墩;张明昆;吴正云;蔡加法;陈厦平 -专利权人：厦门大学
申请日： 2015-09-30 - 公布日： 2017-10-03 - 主分类号： H01L31/11 文献下载
摘要：双工作模式的4H‑SiC紫外光电探测器及其制备方法，涉及半导体光电探测器件。探测器设有N+型4H‑SiC衬底，在N+型4H‑SiC衬底上依次设有第一N‑型外延吸收层和第二N型外延倍增层；从第二N型外延倍增层至第一N‑型外延吸收层表面刻蚀一高度；在第二N型外延倍增层和第一N‑型外延吸收层表面形成P+型欧姆接触层，形成P+N和P+N‑两个PN结；在P+型欧姆接触层的表面生长二氧化硅钝化层；在钝化层上设P型电极窗口，在P型电极窗口和N+型4H‑SiC衬底背面分别溅射P电极和N电极。制备方法对生长好的外延片进行RCA标准清洗；倾斜台面的制备；P+层的制备；氧化层的制备；电极的制备。
双工模式 sic 紫外光电探测器及其制备方法

[实用新型]一种雪崩光电二极管-CN201220112236.0有效
发明人：洪荣墩;吴正云;陈主荣;蔡加法;陈厦平 -专利权人：厦门大学
申请日： 2012-03-22 - 公布日： 2012-10-10 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：一种雪崩光电二极管，涉及半导体光电二极管探测器件。提供一种具有超高紫外可见比的光控击穿电压亚微米柱紫外雪崩光电二极管。设有高掺杂N+型衬底，在高掺杂N+型衬底上表面设有N-层，在N-层上表面两侧设有高掺杂P+型电场强度调节层，在N-层的中间部分上表面设有N型雪崩倍增层，在N型雪崩倍增层的上表面设有P+型的欧姆接触层，在N型雪崩倍增层和P+型的欧姆接触层的两侧分别设有氧化层，在高掺杂N+型衬底的下表面设有正电极，在P+型的欧姆接触层的上表面设有金属负电极。
一种雪崩光电二极管

[实用新型]一种PIN结构4H－SiC紫外光电探测器-CN200620156586.1无效
发明人：卢嵩岳;吴正云;李凌;陈厦平;朱会丽 -专利权人：厦门三优光机电科技开发有限公司厦门大学
申请日： 2006-12-23 - 公布日： 2008-03-05 - 主分类号： H01L31/105 文献下载
摘要：一种PIN结构4H－SiC紫外光电探测器，涉及一种光电探测器，尤其是涉及一种探测波长为200～400nm的SiC PIN紫外光电探测器。提供一种可用于在很强的可见及红外光背景下检测紫外信号的碳化硅(SiC)PIN结构紫外光电探测器。设有n⁺型衬底，在n⁺型衬底上依次外延生长n型层、n^－型层和p⁺型层，n⁺型衬底背面为n型欧姆接触电极，采用干法刻蚀工艺刻蚀一高度从表面p⁺型层到达n型层的器件隔离台阶，隔离台阶和p⁺型层表面覆盖氧化层，在p⁺型层表面的p型接触电极窗口处沉积p型欧姆接触电极，p型欧姆接触电极上一角覆盖金属Ti/Au层作为焊盘，覆盖氧化层的台面为器件的光敏面。
一种 pin 结构 sic 紫外光电探测器

[实用新型]4H－SiC雪崩光电探测器-CN200620156550.3无效
发明人：吴正云;朱会丽;陈厦平 -专利权人：厦门大学
申请日： 2006-12-20 - 公布日： 2008-01-02 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：4H－SiC雪崩光电探测器，涉及一种光电探测器。提供一种在低击穿电压下具有高的内部增益，对可见光与红外光不敏感，可直接对紫外光、微弱信号和单光子信号进行检测的4H－SiC雪崩光电探测器。设有n⁺型4H－SiC衬底，衬底上从下到上生长n型外延吸收层、n型外延倍增层和p⁺外延层，吸收层为非故意掺杂的本征层或掺杂浓度1×10¹⁵/cm³～1×10¹⁶/cm³的轻掺杂层；倍增层掺杂浓度1×10¹⁶/cm³～1×10¹⁸/cm³，厚度为0.05～0.5μm；p⁺外延层掺杂浓度至少为1×10¹⁸/cm³，厚度为0.1～0.5μm。器件表面为钝化膜，在p⁺外延层上设p电极，p电极上设焊盘，衬底背面设n电极。
sic 雪崩光电探测器

[发明专利]一种δ掺杂4H－SiC雪崩紫外光电探测器及其制备方法-CN200710008793.1无效
发明人：吴正云;朱会丽;陈厦平;张峰 -专利权人：厦门大学
申请日： 2007-04-04 - 公布日： 2007-09-05 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：一种δ掺杂4H－SiC雪崩紫外光电探测器及其制备方法，涉及一种紫外光电探测器。提供一种可独立控制倍增区厚度和面电荷浓度以及吸收区长度，消除雪崩器件中量子效率与响应时间的相互制约，优化器件性能的δ掺杂4H－SiC雪崩紫外光电探测器与制备方法。呈台面结构，设有n⁺型4H－SiC衬底，在衬底上从下至上依次外延生长n⁺型缓冲层、超低掺杂n^－型层、δ掺杂n型层、低掺杂n^－型层和高掺杂p⁺型层，超低掺杂n^－型层、δ掺杂n型层和低掺杂n^－型层共同构成有源层；设有至少3个台面，其中最下面的台面用于器件隔离并位于n⁺型缓冲层，其它台面全部位于器件有源层上；器件表面设有致密的氧化硅钝化膜，设p型和n型电极。
一种掺杂 sic 雪崩紫外光电探测器及其制备方法

[发明专利]δ掺杂4H－SiC PIN结构紫外光电探测器及其制备方法-CN200610135372.0有效
发明人：吴正云;陈厦平;朱会丽;卢嵩岳;李凌 -专利权人：厦门大学;厦门三优光机电科技开发有限公司
申请日： 2006-12-23 - 公布日： 2007-07-18 - 主分类号： H01L31/105 文献下载
摘要：δ掺杂4H－SiC PIN结构紫外光电探测器及其制备方法，涉及一种半导体光电探测器。提供一种δ掺杂SiC PIN结构紫外光电探测器及制法。在n⁺型SiC衬底上外延生长n⁺型缓冲层、n－型层l、δ掺杂n型层、n^－型层ll和p⁺型层，器件表面设钝化膜，在p⁺型层上设p电极，衬底背面设n电极。衬底用n⁺型4H－SiC衬底或其同质多型体。制备时刻蚀出外延片台面作为光敏面；热氧化生长氧化层作为钝化膜；在p⁺型层上制备p型电极；甩上光刻胶保护外延片p⁺型层上氧化层，去除n⁺型衬底上氧化层并沉积n型电极金属；将p型电极和n型电极退火形成欧姆接触；制备压焊区覆盖于p型欧姆接触电极一角；管芯划片压焊封装成管。
掺杂 sic pin 结构紫外光电探测器及其制备方法

[发明专利]4H－SiC雪崩光电探测器及其制备方法-CN200610135353.8无效
发明人：吴正云;朱会丽;陈厦平 -专利权人：厦门大学
申请日： 2006-12-20 - 公布日： 2007-06-27 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：4H－SiC雪崩光电探测器及其制备方法，涉及一种光电探测器。提供一种在低击穿电压下具有高的内部增益，对可见光与红外光不敏感，可以直接对紫外光、微弱信号和单光子信号进行检测的4H－SiC雪崩光电探测器及其制备方法。光电探测器设有n⁺型4H－SiC衬底，在n⁺型4H－SiC衬底上从下到上依次生长n型外延吸收层、n型外延倍增层和p⁺外延层，器件表面设钝化膜，外延层上设p电极，p电极上设焊盘，衬底背面设n电极。制备时外延片标准清洗，制备所有台面，再制备氧化层，氧化层作为芯片的钝化层；光刻p电极区，腐蚀掉电极图形处的氧化层，溅射Ti/Al/Au作为p电极接触金属，衬底背面形成n型欧姆接触。
sic 雪崩光电探测器及其制备方法

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