专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种原子力显微镜探针及其制备方法和应用-CN202011431074.2在审
  • 赵伟栋;钟海舰;方斌;赵丽;杜晓伟;刘骐源 - 赣南医学院
  • 2020-12-07 - 2022-06-07 - G01Q60/38
  • 本发明提供一种原子力显微镜探针及其制备方法和应用,该探针采用交联剂修饰,所述交联剂为聚乙烯醇、聚乙二胺、聚丙二醇、聚丙二胺或聚乙烯中的至少一种。所述探针制备方法包括以下步骤:(1)清洗探针,除去针尖上的有机污染物;(2)将清洗干净的探针硅烷化;(3)将硅烷化的探针置于氯仿、三乙胺和交联剂的混合溶液中进行交联反应。所述探针应用包括以下步骤:S1、将探针、目标分子、催化剂置于溶液中反应;S2、反应后的探针采用磷酸盐缓冲溶液Ⅰ清洗后,保存于磷酸盐缓冲溶液Ⅱ中。本发明提供的原子力显微镜探针可以实现标准化、精确定量测定,且该探针可测定蛋白质、DNA、RNA和糖类等大分子。
  • 一种原子显微镜探针及其制备方法应用
  • [发明专利]一种同时测量表面磁性和表面电势的方法-CN201510561823.6有效
  • 钟海舰;刘争晖;徐耿钊;樊英民;黄增立;徐科 - 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
  • 2015-09-07 - 2019-09-10 - G01Q60/50
  • 本发明提供一种同时测量表面磁性和表面电势的方法,包括如下步骤:(1)磁性原子力显微镜探针以第一本征频率振动,待测样品进行第一次扫描,获得待测样品表面形貌曲线;(2)将磁性原子力显微镜探针抬起预定高度,以第一本征频率振动,将一频率等于磁性原子力显微镜探针的第二本征频率的交流信号与直流偏压施加到磁性原子力显微镜探针上后,按照待测样品表面形貌曲线对待测样品进行第二次扫描;(3)调节直流偏压,若振幅和/或频率信号为零,则磁性原子力显微镜探针与待测样品等电位,输出该直流偏压,获得待测样品表面电势;对磁性原子力显微镜探针第一本征频率处的振幅和/或频率和/或相位信号进行反馈,得到待测样品表面磁畴分布。
  • 一种同时测量表面磁性电势方法
  • [发明专利]测量以半导体为衬底的石墨烯微区迁移率的方法-CN201710197142.5有效
  • 钟海舰;刘争晖;徐耿钊;徐科 - 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
  • 2017-03-29 - 2019-04-23 - G01R31/00
  • 本发明提供一种测量以半导体为衬底的石墨烯微区迁移率的方法,包括步骤:在半导体衬底表面覆盖石墨烯以形成石墨烯微区,并配置与石墨烯微区接触的导电探针;将导电探针与扫描开尔文探针力显微镜连接,以测量石墨烯微区的实际功函数,从而获得石墨烯微区与半导体衬底之间的势垒高度φBn0;将导电探针与导电原子力显微镜连接,以采集石墨烯微区的电流‑电压曲线;根据石墨烯微区与半导体衬底之间的势垒高度φBn0以及热电子发射模型对电流‑电压曲线进行分析拟合,得到导电探针与石墨烯微区的有效接触半径;根据导电针尖与石墨烯微区的有效接触半径以及实际接触半径,计算石墨烯微区迁移率μ的值。本发明可实现以任意半导体为衬底的石墨烯微区迁移率的测量。
  • 测量半导体衬底石墨烯微区迁移率方法
  • [发明专利]电场增强结构-CN201510106412.8有效
  • 黄增立;王建峰;刘争晖;徐耿钊;钟海舰;樊英民;徐科 - 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
  • 2015-03-11 - 2018-11-06 - G01N21/64
  • 本发明提供一种电场增强结构,包括基底层及设置在所述基底层表面的介质层,还包括设置在所述介质层表面的隔离层及设置在所述隔离层表面的介电颗粒层,所述介电颗粒层由多个介电颗粒形成,所述介电颗粒的折射率大于所述隔离层的折射率。本发明的优点在于,高折射率介电颗粒能够和入射的电磁场相互作用产生谐振的电磁耦合模式,热损耗能够大大降低;介电颗粒靠近金属,保持一定的低折射率的隔离层,介电颗粒的电磁谐振模式能够与邻近金属的等离激元模式相互作用,导致介电颗粒和金属之间形成极大的电磁增强场;低折射率隔离层的存在能够避免金属和探测物直接接触,有效防止探测物的拉曼信号、荧光信号等的淬灭现象的发生。
  • 电场增强结构
  • [发明专利]超高真空样品转移设备及转移方法-CN201410609148.5有效
  • 徐耿钊;刘争晖;钟海舰;樊英民;黄增立;徐科 - 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
  • 2014-11-04 - 2018-09-28 - G01Q30/18
  • 本发明提供一种超高真空样品转移设备及转移方法,所述设备包括:一样品腔、一过渡腔及一样品传递装置,所述样品腔维持超高真空环境,所述样品腔与所述过渡腔之间设置一第一阀门,以使所述样品腔与所述过渡腔连通或隔断,所述过渡腔与一对接装置连接,并可通过所述对接装置与一外部目标设备连接,所述样品传递装置可在所述样品腔及所述外部目标设备间传递样品。本发明的优点在于,过渡腔作为中间腔体,既可以处于超高真空状态,又可以与外界压强相同,使得在样品存放及转移过程中,无论转移设备是否与外部目标设备相连,样品始终处于超高真空的环境中,且能够避免不同设备间机械振动等噪声的互相干扰。
  • 超高真空样品转移设备方法

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