[发明专利]基板液处理方法、基板液处理装置以及存储介质在审

申请号：	201910470720.7	申请日：	2019-05-31
公开（公告）号：	CN110556294A	公开（公告）日：	2019-12-10
发明（设计）人：	本田拓巳;佐野和成;百武宏展	申请（专利权）人：	东京毅力科创株式会社
主分类号：	H01L21/306	分类号：	H01L21/306;H01L21/67
代理公司：	11277 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)	代理人：	刘新宇
地址：	日本***	国省代码：	日本;JP
权利要求书：	暂无信息	说明书：	暂无信息
摘要：	本发明提供基板液处理方法、基板液处理装置以及存储介质，在浸渍蚀刻工艺中在适当的定时变更处理参数。基板液处理方法包括以下工序：通过使基板(8)浸在处理液中来对基板(8)进行处理；探测使对基板(8)进行处理的工序的处理条件变更的变换点；以及在探测到变换点的情况下，变更处理条件。
搜索关键词：	基板变更处理对基板液处理探测基板液处理装置浸渍处理液中存储介质蚀刻工艺变更
钻瓜网技术展会专利词库专利权人专利榜在售专利公布日期热门专利

【主权项】：

1.一种基板液处理方法，包括以下工序：/n通过使基板浸在处理液中来对基板进行处理；/n探测使对所述基板进行处理的工序的处理条件变更的变换点；以及/n在探测到所述变换点的情况下，变更所述处理条件。/n

下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。

免登录下载普通用户下载升级VIP会员，免费下载

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东京毅力科创株式会社，未经东京毅力科创株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】

本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910470720.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。

同类专利

半导体装置结构的形成方法-201910696438.0
发明人：吴历杰;陈科维;魏国修;张棠贵;李佳璇;林建锜 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-07-30 - 公布日： 2020-02-11 - 主分类号： H01L21/306
摘要：提供半导体装置的结构与形成方法。方法包括形成导电结构于半导体基板上，并形成介电层于导电结构上。方法亦包括形成开口于介电层中，以露出导电结构。方法还包括形成导电材料以超填开口。此外，方法包括采用化学机械研磨工艺薄化导电材料。化学机械研磨工艺所用的研磨液包括含铁氧化剂，且含铁氧化剂氧化导电材料的一部分。

一种刻蚀方法-201710772327.4
发明人：蒋阳波;汪亚军;张静平;郑晓芬 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2017-08-31 - 公布日： 2020-02-07 - 主分类号： H01L21/306
摘要：本申请实施例公开了一种刻蚀方法，其包括：提供待刻蚀衬底，所述待刻蚀衬底上形成有3D NAND存储器的沟道孔，所述沟道孔内形成有待刻蚀硅层；将所述待刻蚀硅层进行部分氧化，形成一定厚度的氧化硅层；去除所述氧化硅层。通过本申请提供的刻蚀方法能够去除掉沟道孔内厚度不均匀的硅层部分，从而使得刻蚀后剩余的硅层为厚度均匀的硅层，因此，该方法解决了3D NAND存储器因沟道孔内的多晶硅厚度不均匀导致漏电流的问题，进而提高了3D NAND存储器的产品良率。

一种减小STI-CMP过程中碟型凹陷的方法-201710401452.4
发明人：杨钰;李虎;张守龙;赵正元;曹玉荣;于明非 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2017-05-31 - 公布日： 2020-01-24 - 主分类号： H01L21/306
摘要：本发明提出一种减小STI‑CMP过程中碟型凹陷的方法，包括下列步骤：浅沟槽隔离化学机械研磨前，在绝缘层上沉积一层氮化硅层；研磨上述结构不平坦表面凸起处，去除表面凸处氮化硅层；研磨去除凸处氮化硅层下方的绝缘层，同时研磨去除凹处表面氮化硅层；研磨去除剩余绝缘层，直到接触到阻挡层；过研磨去除上述结构表面的残留物。本发明提出的减小STI‑CMP过程中碟型凹陷的方法，在保证抛光机的抛光效果的前提下，提出了一种可减小晶圆浅沟槽表面碟型缺陷的设计方法，该方法可有效的降低因晶圆表面碟型缺陷存在而导致的潜在风险和经济损失。

一种芯片抛光方法-201910918331.6
发明人：嵇群群;孙永武 -专利权人：芜湖德锐电子技术有限公司
申请日： 2019-09-26 - 公布日： 2020-01-17 - 主分类号： H01L21/306
摘要：本发明公开了一种芯片抛光方法，先通过化学抛光和机械抛光的结合方法对芯片进行抛光，通过抛光剂与机械的结合进行粗抛、细抛，有利于降低纯化学抛光的化学剂的使用剂量，同时在机械的抛光作用下与利于增加化学抛光剂与芯片的渗透效率，最后采用硅溶胶溶液和机械的配合进行精抛，添加的硅溶胶有利于在芯片的表面形成保护膜，同时对硅溶胶之间的粘附性能有利于防止由于机械转速增大导致硅溶胶溶液与晶粒之间的机械作用不均匀而导致最后研磨的不均匀性，整个制备过程在现有抛光技术中通过增加抛光工序和抛光剂的选择，一方面有利于提高抛光的均匀性，另一方面减少抛光过程中过多的使用抛光剂导致环境的污染。

半导体装置的制造方法-201910208929.6
发明人：黄建桦;魏慈慧;蔡承孝 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-03-19 - 公布日： 2020-01-07 - 主分类号： H01L21/306
摘要：本申请提供一种半导体装置的制造方法，所述方法包含：提供包含导电元件和层间电介质的一结构，其中所述层间电介质包含硅且围绕所述导电元件；形成一蚀刻停止层于所述导电元件和层间电介质之上，其中所述蚀刻停止层包含金属氧化物，其中所述蚀刻停止层包含与导电元件接触的第一部分和与层间电介质接触的第二部分；烘烤所述蚀刻停止层以将位于蚀刻停止层的第二部分中的金属氧化物转换为金属硅氧化物；以及选择性蚀刻所述蚀刻停止层以移除蚀刻停止层的第一部分，但不移除蚀刻停止层的第二部分。

半导体元件制造方法-201910572254.3
发明人：叶雅雯;沈育佃;黄世钧;张博钦;林纬良;严永松;吴伟豪;林立德;林斌彦;刘如淦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-06-28 - 公布日： 2020-01-07 - 主分类号： H01L21/306
摘要：一种半导体元件制造方法，在基板之上形成底层结构。在底层结构之上形成薄膜。测量薄膜的表面形貌，并将表面形貌存储为形貌数据。使用方向性蚀刻执行局部蚀刻，并扫描基板，使得薄膜的整个表面承受方向性蚀刻。根据形貌数据调整方向性蚀刻的电浆束强度。

图案化的碳化硅籽晶及其加工方法和应用、碳化硅晶体、外延层、半导体器件-201910910409.X
发明人：汪良;张洁;邓树军 -专利权人：福建北电新材料科技有限公司
申请日： 2019-09-25 - 公布日： 2019-12-27 - 主分类号： H01L21/306
摘要：本发明涉及碳化硅晶体生长领域，具体而言，提供了一种图案化的碳化硅籽晶及其加工方法和应用、碳化硅晶体、外延层、半导体器件。该图案化的碳化硅籽晶包括籽晶表面，所述籽晶表面包括至少两个凸起，相邻两个凸起之间的凹槽的横截面积由下向上逐渐变大。该碳化硅籽晶的表面呈特定的凹凸结构，因而采用该籽晶进行碳化硅晶体的生长时，碳化硅原子优先生长于相邻两个凸起之间的凹槽，在该凹槽内生长时，缺陷生长方向由纵向逐渐转变为横向，当碳化硅原子填满该凹槽后，碳化硅原子开始纵向生长，因此横向生长的缺陷将消失，从而使碳化硅晶体的缺陷密度得到有效降低。

半导体器件及其制造方法-201910891396.6
发明人：雷奇奇 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2019-09-20 - 公布日： 2019-12-24 - 主分类号： H01L21/306
摘要：本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件的制造方法包括：在衬底上形成相邻的半导体结构，所述相邻的半导体结构的间隔填满有牺牲层；对所述牺牲层和所述间隔的侧壁进行至少两次刻蚀，以去除部分厚度的所述牺牲层，并使得所述间隔的顶部开口宽度增大到预设要求；去除所述间隔中剩余的所述牺牲层，形成宽度从顶部至底部先减小后增大的凹槽。本发明的技术方案使得所述凹槽中填充的半导体材料中的空洞缺陷得到改善，避免影响半导体器件的电性能，进而避免导致产品良率下降。

一种硅片化学腐蚀工艺-201910701555.1
发明人：黄元凯;邹有彪;何孝鑫;顾晶伟 -专利权人：富芯微电子有限公司
申请日： 2019-07-31 - 公布日： 2019-12-20 - 主分类号： H01L21/306
摘要：本发明公开了一种硅片化学腐蚀工艺，通过化学腐蚀的方式替代传统的研磨减薄，从而避免对硅片内部产生应力，避免在后期的生产流程中经过高温造成硅片隐裂的问题，具体的，是通过酸试腐蚀、酸腐蚀、碱试腐蚀与碱腐蚀这四步来对硅片进行腐蚀处理，本发明所述工艺在进行酸腐蚀与碱腐蚀之前，首先进行酸试腐蚀与碱试腐蚀，从而考虑到硅片的个体厚度不同以及腐蚀液使用时间以及温度等条件对腐蚀速率的影响，使腐蚀处理得到的硅片厚度更加一致，并且能够防止硅片出现腐蚀过度或者腐蚀不足的情况，使腐蚀程度能够更加准确的进行控制。

一种半导体元件制造方法-201910869731.2
发明人：郭志宏 -专利权人：大同新成新材料股份有限公司
申请日： 2019-09-16 - 公布日： 2019-12-20 - 主分类号： H01L21/306
摘要：本发明公开了一种半导体元件制造方法，具体涉及半导体制造领域，包括以下步骤：步骤一，将石墨舟放在排线机上，排线机把引线导入石墨舟内为下一道装片做准备，然后把焊片倒入吸盘中，调节其气体把吸盘吸好的焊片和芯片依次倒入打好引线的石墨舟，反转装引线并刷过助焊剂石墨舟置于装完片的石墨舟上抽出托板并用托板震动引线使完全落位用垫板轻压引线。本发明通过利用多种酸溶液；步骤二，依次对芯片进行三次化学腐蚀，对芯片P‑N结边缘进行化学腐蚀，改善机械损伤，祛除表面吸附的杂质，降低表面电场，利用化学品将晶片表面加以侵蚀，使P‑N接面呈现正角比例以获得最佳的电性品质，并防止水中的金属离子到达管芯部位形成影响管子的质量。

III族氮化物衬底及其制备方法-201611247232.2
发明人：王建峰;徐科;张育民;王明月;任国强;徐俞 -专利权人：苏州纳维科技有限公司
申请日： 2016-12-29 - 公布日： 2019-12-13 - 主分类号： H01L21/306
摘要：本发明提供了一种III族氮化物衬底，所述衬底的III族元素面与氮面之间的阴极荧光谱的发光强度之差低于III族元素面发光强度的50％。本发明还提供了一种III族氮化物衬底的制备方法，包括如下步骤：提供一III族氮化物衬底；沿平行于所述衬底的III族元素面的方向切割所述衬底，以获得一被切割面为氮面的III族氮化物衬底；取所述被切割面为氮面的III族氮化物衬底，采用湿法腐蚀的方法去除切割形成的表面损伤层。

基板液处理方法、基板液处理装置以及存储介质-201910470720.7
发明人：本田拓巳;佐野和成;百武宏展 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-05-31 - 公布日： 2019-12-10 - 主分类号： H01L21/306
摘要：本发明提供基板液处理方法、基板液处理装置以及存储介质，在浸渍蚀刻工艺中在适当的定时变更处理参数。基板液处理方法包括以下工序：通过使基板(8)浸在处理液中来对基板(8)进行处理；探测使对基板(8)进行处理的工序的处理条件变更的变换点；以及在探测到变换点的情况下，变更处理条件。

蚀刻液及其用途-201780087436.0
发明人：木内丈司;嶋田理 -专利权人：富士技研工业株式会社
申请日： 2017-02-27 - 公布日： 2019-12-06 - 主分类号： H01L21/306
摘要：本发明提供一种不腐蚀铜而选择性地溶解透明导电膜的蚀刻液，所述蚀刻液包含(a)卤化氢、(b)卤化金属、(c)选自羟基胺和其盐的铜溶解抑制剂及(d)稀释剂，且可以任意地包含(e)氧化剂。

含硅膜的蚀刻方法、计算机存储介质及含硅膜的蚀刻装置-201910375455.4
发明人：折居武彦;浅田泰生;林军;萩原彩乃;入江伸次;田内启士;和田翔 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-05-07 - 公布日： 2019-11-26 - 主分类号： H01L21/306
摘要：本发明涉及含硅膜的蚀刻方法、计算机存储介质及含硅膜的蚀刻装置。本发明的课题在于，在对基板上的含硅膜进行蚀刻时，减小蚀刻后的含硅膜的表面粗糙度；和/或，在对具有形成有孔以使蚀刻对象部分露出的图案的基板上的含硅膜进行蚀刻时，使孔的内部的蚀刻后的含硅膜的表面平坦。本蚀刻装置是对基板上的含硅膜进行蚀刻的装置，其具备如下给气部(12)：对上述含硅膜供给至少包含F₂气的第一含氟气体和至少包含ClF₃气体、IF₇气体、IF₅气体或SF₆气体的第二含氟气体两者。

提高薄膜均匀性的方法-201910808813.6
发明人：陆神洲;张志刚 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2019-08-29 - 公布日： 2019-11-22 - 主分类号： H01L21/306
摘要：本发明提供了一种提高薄膜均匀性的方法，包括：提供一半导体，所述半导体的表面形成有沟槽；对所述半导体的表面进行等离子体照射处理；将旋涂液滴在所述半导体的表面，并对所述半导体进行高速旋转使旋涂液铺在所述半导体整个表面；热处理使得半导体表面形成稳定的薄膜。在本发明提供的提高薄膜均匀性的方法，在向半导体表面涂覆旋涂液之前进行等离子体照射处理，可以使半导体表面单位面积表面的羟基(‑OH)基团密度增加，改变沟槽侧壁的亲/疏水性，从而提高旋涂液与沟槽表面之间的浸润性，进而减小因旋涂液黏度较大，对沟槽表面的浸润性较差所引起的薄膜厚度不均匀性。

一种碲镉汞薄膜材料的化学抛光方法-201611007386.4
发明人：李春领;王春红;秦艳红 -专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2016-11-16 - 公布日： 2019-11-22 - 主分类号： H01L21/306
摘要：本发明公开了一种碲镉汞薄膜材料的化学抛光方法。该方法包括包括以下步骤：利用化学抛光液对所述碲镉汞薄膜材料进行N次化学抛光，其中，第i+1次化学抛光的去除厚度小于第i次化学抛光的去除厚度，其中，N≥3，1≤i≤N；将经过N次化学抛光后的碲镉汞薄膜材料在表面处理液中进行表面处理。借助于本发明的技术方案，解决了现有技术中碲镉汞表面的组分偏差较大的问题，不仅能够降低碲镉汞材料的组分方差，而且使碲镉汞材料的表面极少氧化物甚至无氧化物，从而使碲镉汞探测器器件光谱响应均匀性能够满足性能要求。

刻蚀工艺方法-201711097030.9
发明人：郭享;罗永坚;荆泉;任昱;吕煜坤;张旭升 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2017-11-09 - 公布日： 2019-11-19 - 主分类号： H01L21/306
摘要：本发明公开了一种刻蚀工艺方法，包括步骤：步骤一、确定干法刻蚀工艺腔中的刻蚀速率分布并找出干法刻蚀速率最低的区域位置。步骤二、确定湿法刻蚀工艺设备中的刻蚀速率分布并找出湿法刻蚀速率最高的区域位置。步骤三、对晶圆产品片的被刻蚀材料层进行如下刻蚀：步骤31、进行干法刻蚀。步骤32、将晶圆产品片转动一固定角度使晶圆产品片上的干法刻蚀速率最低的区域定位在后续湿法刻蚀中湿法刻蚀速率最高的区域。步骤33、进行湿法刻蚀。本发明能提高刻蚀的面内均匀性，能防止被刻蚀材料残留，提高产品良率。

锗晶圆的研磨方法-201580038731.8
发明人：长冈康男;阿贺浩司 -专利权人：信越半导体株式会社
申请日： 2015-06-18 - 公布日： 2019-11-15 - 主分类号： H01L21/306
摘要：本发明是一种锗晶圆的研磨方法，于表面以锗所构成的锗晶圆的研磨中，于含有硅酸胶的碱性水溶液的第一研磨浆中添加双氧水，使用经添加该双氧水而成的第二研磨浆而研磨锗晶圆的表面，第一研磨浆中的该双氧水的添加浓度相当于相对于第一研磨浆的容量，以大于0vol％且0.1vol％以下的容量添加30wt％的双氧水的浓度，并使用经添加该双氧水而成的第二研磨浆而研磨该锗晶圆的表面。借此提供的锗晶圆的研磨方法，能使研磨后的Ge表面的表面粗糙度充分地变小，作为贴合用晶圆的情况也能充分抑制空洞与起泡等的界面缺陷的发生。

专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

免登录下载普通用户下载升级VIP会员，免费下载

[发明专利]基板液处理方法、基板液处理装置以及存储介质在审

专利文献下载