[发明专利]高压击穿渐缩型垂直导电结型晶体管在审
| 申请号： | 201910455530.8 | 申请日： | 2019-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN110556429A | 公开（公告）日： | 2019-12-10 |
| 发明（设计）人： | P.阿塔纳科维克 | 申请（专利权）人： | 斯兰纳亚洲有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/808 | 分类号： | H01L29/808;H01L29/10;H01L21/04 |
| 代理公司： | 11105 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 贺紫秋 |
| 地址： | 新加坡*** | 国省代码： | 新加坡;SG |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种垂直导电结型晶体管设备，包括多层半导体单位晶胞，所述多层半导体单位晶胞具有衬底、外延漂移层、外延沟道层、栅极区以及沟道控制区。所述衬底是碳化硅(SiC)。所述外延漂移层包括SiC，并且形成于所述衬底的顶面上。所述外延沟道层包括SiC，并且形成于所述外延漂移层的顶面上，其中所述外延沟道层的侧壁与垂直方向成角度。所述栅极区形成于所述外延沟道层的所述侧壁中，所述栅极区具有平行于所述侧壁的内部栅极区边界。所述沟道控制区处于所述外延沟道层中，并且具有以所述内部栅极区边界为界的宽度。所述沟道控制区在沿着所述垂直方向截取的平面中具有梯形横截面。 | ||
| 搜索关键词： | 外延沟道层 栅极区 控制区 漂移层 侧壁 衬底 沟道 单位晶胞 多层 半导体 结型晶体管 梯形横截面 碳化硅 导电 截取 平行 垂直 | ||
【主权项】：
1.一种垂直导电结型晶体管设备，所述设备包括：/n多层半导体单位晶胞，所述多层半导体单位晶胞包括：/n衬底，所述衬底是碳化硅(SiC)衬底，其中所述多层半导体单位晶胞的垂直方向垂直于所述衬底的顶面；/n包括SiC的外延漂移层，所述外延漂移层形成于所述衬底的所述顶面上；/n包括SiC的外延沟道层，所述外延沟道层形成于所述外延漂移层的顶面上，其中所述外延沟道层的侧壁与所述垂直方向成角度，使得所述外延沟道层渐缩；/n栅极区，所述栅极区形成于所述外延沟道层的所述侧壁中，所述栅极区具有平行于所述侧壁的内部栅极区边界；以及/n沟道控制区，所述沟道控制区处于所述外延沟道层中，所述沟道控制区具有以所述内部栅极区边界为界的宽度并且在沿着所述垂直方向截取的平面中具有梯形横截面。/n
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