[发明专利]等离子体增强化学气相沉积的腔室结构及具有其的设备在审
| 申请号： | 201910235136.3 | 申请日： | 2019-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN110042369A | 公开（公告）日： | 2019-07-23 |
| 发明（设计）人： | 李伟;孟慧文;陈政 | 申请（专利权）人： | 云谷（固安）科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/505 | 分类号： | C23C16/505;C23C16/52 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 郑越 |
| 地址： | 065500 河*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体设备制造技术领域，具体涉及一种等离子体增强化学气相沉积的腔室结构及具有其的设备，包括：腔室，设有进气口；第一电极板和第二电极板，相向间隔设置在腔室内部，且第一电极板与射频电源连接，第二电极板接地，第一电极板上成型有多个允许通过进气口进入腔室中的气体通过的第一通孔；多个移动组件，移动组件包括可在第一电极板表面运动的板体和与板体连接、用于驱动板体运动的驱动件，板体具有在驱动件的作用下运动至部分覆盖第一通孔的遮挡位置和在驱动件的作用下运动至使第一通孔完全暴露的敞开位置。本发明提供了一种不需开腔操作即可实时改变腔室中的气体相对浓度的等离子体增强化学气相沉积的腔室结构及具有其的设备。 | ||
| 搜索关键词： | 电极板 等离子体增强化学气相沉积 腔室结构 驱动件 通孔 进气口 移动组件 板体 腔室 半导体设备制造 开腔 电极板表面 板体连接 敞开位置 间隔设置 气体通过 腔室内部 驱动板体 射频电源 遮挡位置 接地 进入腔 相向 成型 暴露 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种等离子体增强化学气相沉积的腔室结构，其特征在于，包括：腔室(1)，设有进气口；第一电极板(2)和第二电极板(3)，相向间隔设置在所述腔室(1)内部，且所述第一电极板(2)与射频电源连接，所述第二电极板(3)接地，所述第一电极板(2)上成型有多个允许通过所述进气口进入所述腔室(1)中的气体通过的第一通孔(21)；多个移动组件(4)，所述移动组件(4)包括可在所述第一电极板(2)表面运动的板体(41)和与所述板体(41)连接、用于驱动所述板体(41)运动的驱动件(42)，所述板体(41)具有在所述驱动件(42)的作用下运动至部分覆盖所述第一通孔(21)的遮挡位置和在所述驱动件(42)的作用下运动至使所述第一通孔(21)完全暴露的敞开位置。
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- 刘忠伟;陈强;赵高;原建松;曹庆波 - 北京印刷学院;烟台鸿庆包装材料有限公司
- 2014-04-09 - 2014-06-25 - C23C16/505
- 本发明涉及一种采用等离子体射流制备高阻隔薄膜的方法，属于阻隔薄膜制作技术领域。其特点是等离子体发生装置为常压射流式等离子体发生装置，通过输气管路引入放电气体，同时有机硅单体由载气携带进入射流枪内，与放电气体混合，在高压电极与接地射流头之间放电产生等离子体，形成纳米级薄膜气相成分，射流枪由高压电源驱动，等离子体经射流枪射流头喷出，在基材上沉积形成阻隔薄膜。本发明方法相比于其他阻隔薄膜制作工艺，生产成本低，制备速度快，操作简便，无需真空设备，在大气压条件下即可完成，对规则或不规则的基材表面均可实施薄膜沉积，同时材料便于回收利用，安全环保，可广泛用于食品行业、医药行业、真空绝热板等高阻隔层的制备。
- 等离子体处理装置和等离子体产生装置-201310542764.9
- 加藤寿;三浦繁博 - 东京毅力科创株式会社
- 2013-11-05 - 2014-05-21 - C23C16/505
- 本发明提供等离子体处理装置和等离子体产生装置。该等离子体处理装置包括：真空容器；基板载置部，其设于上述真空容器内，用于载置基板；气体供给部，其用于向上述真空容器内供给等离子体产生用气体；天线，能向该天线供给高频电力而使自上述气体供给部供给过来的上述等离子体产生用气体等离子体化；法拉第屏蔽件，其设于上述天线与产生等离子体的区域之间，该法拉第屏蔽件由导电板构成，在导电板中，沿着天线的长度方向排列有多个以与上述天线的延伸方向交叉的方式形成狭缝，以阻隔由上述天线形成的电磁场中的电场并使磁场通过；以及调整构件,其由用于调整上述狭缝的开口面积的导电体构成，用于调整在上述天线的长度方向上的等离子体密度。
- 反应腔室及其射频带保护装置-201320672684.0
- 庞明磊 - 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
- 2013-10-29 - 2014-04-16 - C23C16/505
- 本实用新型提供的反应腔室及其射频带保护装置，该晶圆腔体射频带保护装置，设置于晶圆腔体的底部和加热器之间，包括左、右支架，所述左、右支架均包括一个较高位置的第一顶板和一个较低位置的第二顶板，所述第二顶板的相对侧对应设有一凹槽，所述左、右支架组装时形成一个空心的无底的台阶体且所述凹槽形成供射频带穿越的通孔，能够将射频带和带夹保护起来，防止射频带和带夹受到等离子体、高温以及腐蚀性气体侵蚀，一方面，可以使得晶圆腔体中腐蚀性的等离子体无法直接接触射频金属连接带和带夹，因而可以延长使用寿命，另一方面，在定期维护时，因为腐蚀程度较轻，带夹比中的螺纹紧固件比较容易拆卸，不会发生断裂现象，可以节省工程师的劳动时间，提高劳动效率，并减少了维护费用。
- 等离子体成膜装置以及等离子体成膜方法-201180071560.0
- 浜笃郎 - 三菱电机株式会社
- 2011-08-30 - 2014-02-19 - C23C16/505
- 一种等离子体成膜装置，具有与被成膜物相向的高频电极以及与被成膜物连接的接地电极，使用在高频电极与接地电极之间发生的等离子体对被成膜物进行成膜，其中，高频电极具有：第1高频电极（101），与被成膜物（100）的第1被成膜面（113）相向；以及第2高频电极（102），与被成膜物中的和第1被成膜面相反一侧的第2被成膜面（114）相向，第1高频电极、第2高频电极以及接地电极（103）使得用于第1被成膜面的成膜的第1高频电极以及接地电极之间的等离子体、和用于第2被成膜面的成膜的第2高频电极以及接地电极之间的等离子体同时发生。
- 一种新型PECVD射频电极接头-201320525132.7
- 王佃阁 - 山东禹城汉能光伏有限公司
- 2013-08-27 - 2014-02-12 - C23C16/505
- 本实用新型涉及一种新型PECVD射频电极接头，包括电极插口和电极接口，所述电极插口包括金属外壳Ⅰ、金属内壳、夹装于金属外壳Ⅰ与金属内壳之间的绝缘填充层Ⅰ、设置于金属内壳中的圆孔Ⅰ、水平设置于圆孔Ⅰ内的两个圆棒Ⅰ，电极接口包括金属外壳Ⅱ、设置于金属外壳Ⅱ内的圆棒Ⅱ、设置于圆棒Ⅱ上的与两个圆棒Ⅰ位置相对应的圆孔Ⅱ以及设置于外壳Ⅱ与圆棒Ⅱ之间的绝缘填充层Ⅱ，电极插口与电极插口上设置有当电机插口插入电极接口后锁止固定的固定装置。电极插口圆棒Ⅰ插进电极接口内圆棒Ⅱ中的圆孔Ⅱ里，其位置是固定的，可以有效的保证电极插口和电极接口的良好接触，同时避免了震动，插不到位等因素导致接触不良，并增加接触面积增强导电性。
- PECVD柔性太阳能电池制造设备-201310356751.2
- 奚建平 - 苏州思博露光伏能源科技有限公司
- 2013-08-15 - 2013-11-20 - C23C16/505
- 本发明公开了一种PECVD柔性太阳能电池制造设备，所述设备包括至少一个真空室，每个真空室内设有至少一个电极室，所述电极室从内向外依次包括内管、中管和外管，所述内管、中管和外管两端通过端盖进行固定，且内管和中管间的距离处处相等，所述内管和中管分别作为内电极和外电极与射频发生器相连。本发明内管和中管做成等离子体放电电极，电极间距的精准度得到自动保证，保证了PECVD工艺过程中的成膜质量。
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
