[发明专利]一种具有低栅极电阻的场效应晶体管的结构及制造方法有效
| 申请号： | 201880096780.0 | 申请日： | 2018-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN112640128B | 公开（公告）日： | 2022-10-04 |
| 发明（设计）人： | 刘欣芳;许淼;刘燕翔 | 申请（专利权）人： | 华为技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 李欣 |
| 地址： | 518129 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请实施例公开了一种场效应晶体管结构，该结构包括：半导体衬底(101)，金属栅极(104)，源极金属沟槽(107)、漏极金属沟槽(108)、刻蚀停止层和栅极接触(105)，该刻蚀停止层覆盖在源极金属沟槽(107)和漏极金属沟槽(108)的上方，该栅极接触(105)位于有源区上方，由于在源极金属沟槽(107)和漏极金属沟槽(108)的上方覆盖有刻蚀停止层，可以将栅极接触(105)准确打到栅极上，而不会与源极金属沟槽(107)或漏极金属沟槽(108)短接，因此栅极接触(105)可以在金属栅极(104)上延伸至有源区上方，这样栅极接触(105)的长度限制变小，栅极接触(105)的形状可以类似于金属栅极(104)呈长条的形状，增大了栅极接触(105)与金属栅极(104)的接触面积，大大降低了栅极电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 栅极 电阻 场效应 晶体管 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
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