[发明专利]抗蚀剂去除方法以及抗蚀剂去除装置在审
| 申请号： | 201880059923.0 | 申请日： | 2018-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN111095486A | 公开（公告）日： | 2020-05-01 |
| 发明（设计）人： | 宗德皓太;鳅场真树 | 申请（专利权）人： | 株式会社斯库林集团 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;G03F7/42;H01L21/302;H01L21/3065;H01L21/683 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 向勇;宋晓宝 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种抗蚀剂去除方法以及抗蚀剂去除装置，所述抗蚀剂去除装置(1)的加热板(4)配置于处理空间(20)且被加热至规定的温度。多个升降销(51)在处理空间(20)中保持在上表面(91)上具有抗蚀剂的图案的基板(9)，所述抗蚀剂在表面形成有变质层。销升降机构(32)使多个升降销(51)相对于加热板(4)相对地移动。臭氧气体供给部(6)向基板(9)的上表面(91)供给臭氧气体。控制部(10)将基板(9)配置在与加热板(4)隔开间隙的第一处理位置而利用臭氧气体进行变质层(96)的去除，然后，通过控制移动机构(32)，将基板(9)配置在该间隙比第一处理位置更小的第二处理位置而利用臭氧气体进行抗蚀剂的去除。由此，能够一边防止爆裂一边高效地去除基板(9)上的抗蚀剂。 | ||
| 搜索关键词： | 抗蚀剂 去除 方法 以及 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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