[实用新型]一种半导体器件有效
| 申请号： | 201821288481.0 | 申请日： | 2018-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN208478320U | 公开（公告）日： | 2019-02-05 |
| 发明（设计）人： | 江伟;史波;敖利波;梁赛嫦 | 申请（专利权）人： | 珠海格力电器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/495;H01L21/56 |
| 代理公司： | 天津三元专利商标代理有限责任公司 12203 | 代理人： | 钱凯 |
| 地址： | 519070*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种半导体器件，包括芯片、引线框架和封装体，引线框架包括芯片座和引脚，还包括导流引线，导流引线分别与芯片和引脚连接、且导流引线中段向芯片外凸出，封装体注塑成型包覆于芯片、引线框架外且引脚部分伸出封装体，该封装体上设置有浇注口，浇注口设置于靠近导流引线的一侧。本实用新型将封装体浇注口设置在靠近导流引线的一侧，使得封装体注塑时能够顺着导流引线的方向流动，有效消除了导流引线下方的气孔及熔接线；将导流引线的中段向芯片外凸出，使导流引线与芯片、导流引线与引线框架之间的间隙扩大，方便封装体顺利填充进去；有效防止芯片脱层、封装体胶体开裂、水汽入侵、离子污染等问题，提高了半导体器件的使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 导流 封装体 芯片 引线框架 半导体器件 浇注口 引脚 本实用新型 凸出 中段 注塑 方向流动 间隙扩大 离子污染 使用寿命 注塑成型 水汽 熔接线 芯片座 包覆 填充 脱层 入侵 伸出 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括芯片、引线框架和封装体，所述引线框架包括芯片座和引脚，该芯片座用于承载固定芯片，该引脚使芯片与外部实现电性连接，其特征在于：还包括导流引线，所述导流引线两端分别与芯片和引脚连接、且导流引线中段向芯片外凸出，所述封装体通过注塑成型包覆于芯片、引线框架外且引脚部分伸出封装体，该封装体上设置有浇注口，且浇注口设置于靠近导流引线的一侧。
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