[发明专利]一种半导体器件结构及其制造方法

摘要

本发明揭示一种半导体器件结构及其制造方法。所述半导体器件结构包括：衬底；鳍部，设置于所述衬底上且向远离所述衬底的方向延伸，其中，所述鳍部包括第一沟道部以及第二沟道部，所述第一沟道部与所述第二沟道部相邻且均由所述衬底向远离所述衬底的方向延伸；第一栅电极，与所述鳍部的延伸方向相同，并且设置于靠近所述第一沟道部的一侧，所述第一栅电极与所述第一沟道部形成第一晶体管；第二栅电极，与所述鳍部的延伸方向相同，并且设置于靠近所述第二沟道部的一侧、与所述第一栅电极相对，所述第二栅电极与所述第二沟道部形成第二晶体管；以及栅介质层，设置于衬底的表面，且至少覆盖鳍部、位于鳍部与第一栅电极、第二栅电极之间。

主权项

1.一种半导体器件结构，其特征在于，所述半导体器件结构包括：衬底；鳍部，设置于所述衬底上且向远离所述衬底的方向延伸，其中，所述鳍部包括第一沟道部以及第二沟道部，所述第一沟道部与所述第二沟道部相邻且均由所述衬底向远离所述衬底的方向延伸；第一栅电极，与所述鳍部的延伸方向相同，并且设置于靠近所述第一沟道部的一侧，所述第一栅电极与所述第一沟道部形成第一晶体管；第二栅电极，与所述鳍部的延伸方向相同，并且设置于靠近所述第二沟道部的一侧、与所述第一栅电极相对，所述第二栅电极与所述第二沟道部形成第二晶体管；以及栅介质层，设置于所述衬底的表面，且至少覆盖所述鳍部、位于所述鳍部与所述第一栅电极、第二栅电极之间。