[发明专利]一种基于空心阳极结构的肖特基二极管及其制备方法有效
| 申请号： | 201811564501.7 | 申请日： | 2018-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN109830540B | 公开（公告）日： | 2020-09-04 |
| 发明（设计）人： | 杨林安;严霏;马遥;马晓华;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L21/329;H01L29/40;H01L29/20 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 张捷 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种基于空心阳极结构的肖特基二极管及其制备方法，该方法包括：选取衬底层；在所述衬底层上生长AlN成核层；在所述AlN成核层上生长GaN缓冲层；在所述GaN缓冲层上生长异质结沟道层；在所述异质结沟道层上形成空心阳极。本发明实施例，通过采用一种基于空心阳极结构及掺杂GaN |
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| 搜索关键词： | 一种 基于 空心 阳极 结构 肖特基 二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于空心阳极结构的肖特基二极管及其制备方法，其特征在于，包括：选取衬底层；在所述衬底层上生长AlN成核层；在所述AlN成核层上生长GaN缓冲层；在所述GaN缓冲层上生长异质结沟道层；在所述异质结沟道层上形成空心阳极。
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