[发明专利]一种高速开关二极管芯片及生产工艺在审
| 申请号： | 201811407774.0 | 申请日： | 2018-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN109390415A | 公开（公告）日： | 2019-02-26 |
| 发明（设计）人： | 赵志桓;巩光昊;张礼;王传超;潘莹月;刘伟丽;郭英华;刘彩虹;王春凤;唐雪娇 | 申请（专利权）人： | 山东农业工程学院 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L23/29;H01L23/31;H01L29/06;H01L29/43;H01L21/285;H01L21/56;H01L21/329 |
| 代理公司： | 济南圣达知识产权代理有限公司 37221 | 代理人： | 黄海丽 |
| 地址： | 250100 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种高速开关二极管芯片及生产工艺，所述芯片横截面为圆形，包括：衬底，所述衬底上表面生长有外延层；所述外延层上表面为第一氧化层，所述第一氧化层上光刻环形隔断槽，所述隔断槽内为扩散区，所述隔断槽外为截断环；所述第一氧化层上表面为第二氧化层，所述第二氧化层上光刻引线孔；所述光刻引线孔内延伸至第二氧化层上表面设有蒸铝层。本发明能够使高速开关二极管开关时间小于5ns，击穿电压大于100V，反向漏电流小于25nA。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化层 高速开关二极管 上表面 芯片 隔断槽 外延层 引线孔 上光 生产工艺 衬底上表面 反向漏电流 环形隔断 击穿电压 扩散区 蒸铝层 衬底 光刻 截断 生长 延伸 | ||
【主权项】：
1.一种高速开关二极管芯片，其特征在于，所述芯片横截面为圆形，包括：衬底，所述衬底上表面生长有外延层；所述外延层上表面为第一氧化层，所述第一氧化层上光刻环形隔断槽，所述隔断槽内为扩散区，所述隔断槽外为截断环；所述第一氧化层上表面为第二氧化层，所述第二氧化层上光刻引线孔；所述光刻引线孔内延伸至第二氧化层上表面设有蒸铝层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于山东农业工程学院，未经山东农业工程学院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811407774.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
