[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 201811381520.6 | 申请日： | 2018-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN109817620A | 公开（公告）日： | 2019-05-28 |
| 发明（设计）人： | 金埈宽;安商熏;韩奎熙;朴在花;朴嬉淑 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108;H01L21/768;H01L23/535 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张波;王新华 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种半导体器件，该半导体器件包括：在衬底上的器件区域；在器件区域上的层间电介质层；在层间电介质层的一侧的第一界面层；低k电介质层，隔着第一界面层而与层间电介质层间隔开并具有比层间电介质层的介电常数小的介电常数；以及在低k电介质层中的导电线。第一界面层包括与低k电介质层接触的第一子界面层以及与层间电介质层接触的第二子界面层。第二子界面层具有比第一子界面层的氢渗透性小的氢渗透性。 | ||
| 搜索关键词： | 层间电介质层 子界面 低k电介质层 半导体器件 界面层 介电常数 器件区域 氢渗透性 导电线 衬底 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：在衬底上的器件区域；层间电介质层，在所述器件区域上；第一界面层，在所述层间电介质层的一侧；低k电介质层，隔着所述第一界面层而与所述层间电介质层间隔开并具有比所述层间电介质层的介电常数小的介电常数；以及导电线，在所述低k电介质层中，其中所述第一界面层包括：与所述低k电介质层接触的第一子界面层；和与所述层间电介质层接触的第二子界面层，所述第二子界面层具有比所述第一子界面层的氢渗透性小的氢渗透性。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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