[发明专利]半导体器件

说明书

提供一种半导体器件，该半导体器件包括：在衬底上的器件区域；在器件区域上的层间电介质层；在层间电介质层的一侧的第一界面层；低k电介质层，隔着第一界面层而与层间电介质层间隔开并具有比层间电介质层的介电常数小的介电常数；以及在低k电介质层中的导电线。第一界面层包括与低k电介质层接触的第一子界面层以及与层间电介质层接触的第二子界面层。第二子界面层具有比第一子界面层的氢渗透性小的氢渗透性。

技术领域

发明构思涉及一种半导体器件。

背景技术

半导体器件由于其小尺寸、多功能性和/或低制造成本而在电子产业中是有益的。半导体器件已经越来越多地与电子产业的发展相结合。半导体器件可以分类为存储逻辑数据的半导体存储器件、处理逻辑数据的操作的半导体逻辑器件、以及具有存储元件和逻辑元件两者的混合半导体器件。也越来越期望改善半导体器件的特性。例如，已经越来越多地要求半导体器件具有高的可靠性、高的速度和/或多功能性。半导体器件逐渐复杂化并集成以满足这些要求的特性。

发明内容

发明构思的一些示例实施方式提供具有增强的可靠性和改善的电特性的半导体器件。

根据发明构思的示例实施方式，一种半导体器件可以包括：在衬底上的器件区域；在器件区域上的层间电介质层；在层间电介质层的一侧的第一界面层；低k电介质层，隔着第一界面层而与层间电介质层间隔开并具有比层间电介质层的介电常数小的介电常数；以及在低k电介质层中的导电线。第一界面层可以包括：与低k电介质层接触的第一子界面层；以及与层间电介质层接触的第二子界面层。第二子界面层可以具有比第一子界面层的氢渗透性小的氢渗透性。

根据发明构思的示例实施方式，一种半导体器件可以包括：在衬底上的器件区域；低k电介质层，在器件区域上并在其中包括导电线；在低k电介质层上的上层间电介质层；在上层间电介质层上的氢供应层；以及上界面层，在低k电介质层和上层间电介质层之间。上界面层可以包括第一子界面层和在第一子界面层上的第二子界面层。第二子界面层可以具有比第一子界面层的氢渗透性小的氢渗透性。

根据发明构思的示例实施方式，一种半导体器件可以包括：在衬底上的器件区域；多个低k电介质层，在器件区域上并在其中包括导电线；在所述多个低k电介质层上的层间电介质层；在层间电介质层上的氢供应层；以及上界面层，在层间电介质层和所述多个低k电介质层中的最上面的一个之间。上界面层可以包括低k电介质界面层和在低k电介质界面层上的氢阻挡层。氢阻挡层可以具有比上界面层的密度大的密度。

附图说明

图1示出平面图，其示出根据发明构思的示例实施方式的半导体器件。

图2示出沿着图1的线I-I'截取的截面图。

图3示出放大图，其示出图2的Q部分。

图4示出放大图，其示出图3的R1部分。

图5示出放大图，其示出图4的S部分。

图6示出放大图，其示出图4的T部分。

图7示出截面图，其示出根据比较示例的半导体器件。

图8示出放大图，其示出图2的Q部分。

图9示出放大图，其示出图8的R2部分。

图10示出放大图，其示出图2的Q部分。

图11示出当大图，其示出图2的Q部分。

图12示出放大图，其示出图2的Q部分。

图13示出放大图，其示出图12的R3部分。

图14示出放大图，其示出图2的Q部分。